PDF《建设项目环境影响报告表》

六、非正常排放污染控制措施.110 III

七、环保投资.110

八、环境管理及监测计划.112 表九:结论与建议.123

一、项目概况.123

二、环境质量现状评价结论.123

三、环境影响评价结论.123

四、污染物达标排放分析.125

五、总量控制.126

六、环境风险评价结论.127

七、产业政策、规划符合性及选址合理性分析.128

八、项目建设可行性结论.128

九、环境保护对策建议.129

1 表一:建设项目基本情况 项目名称 砷化镓单片微波集成电路研发及产业化项目 建设单位 北京双仪微电子科技有限公司 法人代表 吴晓明 联系人 程贵杰 通讯地址 北京市北京经济技术开发区科创十四街

99 号 联系电话

18600755597 传真 010-67881840 邮政编码

100176 建设地点 北京经济技术开发区东区 B15M1 地块 立项审批 部门北京经济技术开发区管理委员 会 批准文号 京技管项备字 [2018]70 号 建设性质 新建√改建扩建 行业类别及代 码C3963 集成电路制造 占地面积

9833 O 绿化面积

10400 O 总投资 (万元)

100000 其中:环保 投资(万元) 5716.5 环保投资占 总投资比例 5.72 % 评价经费 (万元) ― 预期投产日期

2018 年12 月 工程内容及规模:

一、项目由来 集成电路产业是信息技术产业的核心, 是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略 性、基础性和先导性产业.砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)是在砷化镓半导 体衬底上用一系列半导体工艺方法制造出无源和有源元器件, 并连接起来构成应用于微 波(甚至毫米波)频段的功能电路 GaAs MMIC 是一种高性能的无线通信集成电路.由于GaAs MMIC 的衬底材料 GaAs 的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度范围大、 微波传输性能好,所以 GaAs MMIC 具有电路损耗小、噪声低、工作频率高、频带宽、 动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点,其性能远远超过了硅基 集成电路.从上世纪

80 年代初期开始,GaAs MMIC 技术就被美日欧等世界先进国家列 为国家最重要的半导体科技之一.每年投资巨额资金研发持续了十几年时间.由此可见 其重要性. GaAs MMIC 的产品和技术早期多用于国防科技用途. 但进入上世纪

90 年代中期以

2 后,由于商务用的无线通信产业及个人手机市场的蓬勃发展,具有高性能的 GaAs MMIC 开始被广泛应用于手机和其他通讯器材,其用途包括传送远距离信号的高功 率放大器(PA)与低噪声低失真开关(Switch)等.至此,GaAs MMIC 成为了个人与商 务无线通信产业不可或缺的集成电路组件并在射频和微波领域基本取代了相对低性 能的硅基集成电路. 砷化镓的高功率放大器(GaAs PA)是手机电路中的关键组件,它占有了九成以 上的手机市场.但是由于 GaAs 是一种复杂的化合物半导体材料,GaAs 器件的工 艺制备过程比硅器件困难许多,并且 GaAs 器件的器件物理更为艰深,GaAs 的器 件和电路都不易设计,因此研发与生产的门坎很高.手机生产厂商所需的 GaAs MMIC 芯片基本依赖进口,这对我国半导体产业和通讯产业都造成了巨大隐患.随 着需求量的增加,仰赖国外供应的程度日益加深,建立具有自主知识产权的 GaAs MMIC 生产线已是迫在眉睫. 为填补我国砷化镓微波集成电路制造领域空白,建成目前全国唯一具备规模化 量产能力的先进工艺技术生产线,弥补我国通讯产业供应链缺口,满足国内市场对 砷化镓 MMIC 芯片的迫切需求,彻底改变我国在此领域长期全部依赖进口的现状, 北京双仪微电子科技有限公司拟投资