PDF《数据手册》

S―SOP20/16/14;

T―TSSOP20;

N―QFN20 ROM容量:G―8K Words(16K Bytes) ROM类型:F―FLASH ROM 169:MCU型号 7P:8位MCU系列号 HR 7P No. X X X 地址:中国上海市龙漕路

299 号天华信息科技园 2A 楼5层邮编:200235 E-mail:[email protected]

电话:+86-21-60910333 传真:+86-21-60914991

网址:http://www.essemi.com 版权所有? 上海东软载波微电子有限公司 本资料内容为上海东软载波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成,本资料中所记载 的实例以正确的使用方法和标准操作为前提,使用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件,上海东软载波微电 子有限公司不担保或确认该等实例在使用方的适用性、适当性或完整性,上海东软载波微电子有限公司亦不对使用 方因使用本资料所有内容而可能或已经带来的风险或后果承担任何法律责任. 基于使本资料的内容更加完善等原因, 上海东软载波微电子有限公司保留未经预告的修改权.使用方如需获得最新的产品信息,请随时用上述联系方式与 上海东软载波微电子有限公司联系. HR7P169 数据手册 V1.12 4/131 版权所有?上海东软载波微电子有限公司 http://www.essemi.com 修订历史 版本 修改日期 更改概要 V1.0 2014-02-11 初版 V1.1 2014-04-7 加强每节概述部分的描述,整体排版调整等. V1.2 2014-07-16 1:修改 RXB 寄存器的读写类型;

2:修改数据存储器页擦写及写入应用例程;

3:增加 PPG 输出波形示意图 2;

4:修改输入端口上/下拉电阻的匹配精度;

5: 增加 LDO 稳定时间控制位说明, 以及唤醒时间的更改;

6:修改 ADC 通道选择位,当ADCHS=1110 时, 选择通道 14(ADCVREF) ;

7:修改模拟比较器、运放电气特性表;

8:新增一种 TSSOP20 的封装;

V1.3 2014-10-22 1:修改输入端口弱上/下拉电阻的匹配精度在±5%以内;

2:模拟比较器

4 的偏置电压调节软件不可写;

3:I2C 模块在每帧数据发送完成后,接收到结束位时, 硬件自动清零发送缓冲寄存器;

4:新增一种 DIP16 的封装;

5:修改 ADCCL 寄存器 SMPS 位固定为 1;

6:增加 ADCCL 寄存器中的 ADVOUT 位;

7:更新电气特性部分. V1.4 2015-4-17 1:添加 QFN20 封装;

2:添加 ADC 参考电压输出脚 ADV 及相关描述;

3:更新参考电压校准控制寄存器 VREFCAL. V1.5 2015-6-10 修改比较器和 AD 模块的参考电压 VREF 由2.6V 更新改 为2.5V. V1.6 2015-7-29 1:加强芯片配置字 BORVS的设置档位说明. 2:统一修改公司名称、logo 及网址等. V1.7 2015-9-2 1:更新 WDT RC 时钟范围和 WDT 时钟校准控制寄存器 WDTCAL 等内容;

2:更新 BOR 模块使能位的相关使用说明. V1.8 2016-08-16 增加了未引出的和未使用的 I/O 管脚处理 V1.9 2018-1-18 更新芯片简介概述中部分描述. V1.10 2018-5-17 更新全局中断使能 GIE 和低优先级中断使能 GIEL 的清

0 和置

1 的操作注意事项. V1.11 2019-1-10 1. 电气特性部分新增芯片 ESD 特性;

2. 添加 Flash 存储器支持至少

10 万次擦写次数,

10 年以 ........