PDF《Dan-Dan》

总剂量效应致0.

13 ?m部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应 周航 郑齐文 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 ?m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field- effect transistor induced by total ionizing dose effect Zhou Hang Zheng Qi-Wen Cui Jiang-Wei Yu Xue-Feng Guo Qi Ren Di-Yuan Yu De-Zhao Su Dan-Dan 引用信息 Citation: Acta Physica Sinica, 65,

096104 (2016) DOI: 10.7498/aps.65.096104 在线阅读View online: http://dx.doi.org/10.7498/aps.65.096104 当期内容View table of contents: http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2016/V65/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应 Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process 物理学报.2016, 65(7):

076102 http://dx.doi.org/10.7498/aps.65.076102 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究 Reliability of partially-depleted silicon-on-insulator n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect tran- sistor under the ionizing radiation environment 物理学报.2015, 64(8):

086101 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.086101 深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究 Radiation effect of deep-submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and parasitic transis- tor 物理学报.2014, 63(22):

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60 Co-γ 射线辐照CMOS有源像素传感器诱发暗信号退化的机理研究 Research on dark signal degradation in

60 Co γ-ray-irradiated CMOS active pixel sensor 物理学报.2014, 63(5):

056102 http://dx.doi.org/10.7498/aps.63.056102 物理学报Acta Phys. Sin. Vol. 65, No.

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096104 总剂量效应致0.13 ?m部分耗尽绝缘体上硅N型 金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子 增强效应? 周航1)2)3) 郑齐文1)2) 崔江维1)2) 余学峰1)2)? 郭旗1)2) 任迪远1)2) 余德昭1)2)3) 苏丹丹1)2)3) 1)(中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011) 3)(中国科学院大学, 北京 100049) (

2015 年11 月16 日收到;

2016 年2月4日收到修改稿 ) 空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求, 绝缘体上硅 (SOI) 技术由此进入空间科学领 域, 这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战. 进行 SOI N 型金属氧化物半导体场 效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究, 有助于对 SOI 器件空间应用的综合可靠性进行评 估. 通过预辐照和未辐照、 不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比, 发现总剂量损伤导致热载流子损伤 增强效应, 机理分析表明该效应是 STI 辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起. 与未辐照器件相 比, 预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大, 器件的转移特性曲线、 输出特性曲线、 跨导特性曲线 以及关键电学参数 VT, GMmax, IDSAT 退化较多. 本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一 特殊现象进行了讨论. 关键词: 绝缘体上硅, 电离辐射, 热载流子 PACS: 61.80.Ed, 61.82.Fk, 85.30.Tv DOI: 10.7498/aps.65.096104