PDF《长治市第三代半导体紫外 LED 产业发展规划》

长治市第三代半导体紫外 LED 产业发展规划 (2019―2023 年) 长治市人民政府 二一九年五月 I 前言第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于 Si(1.

1eV)和GaAs(1.4eV)的宽禁带半导体材料(2.0eV-6.0eV),包括Ⅲ族 氮化物(如氮化镓 GaN、氮化铝 AlN 等)、碳化硅(SiC)、宽 禁带氧化物(如氧化锌 ZnO、氧化镓 Ga2O

3、钙钛矿 CaTiO3)及金 刚石薄膜等宽禁带半导体材料. 第三代半导体材料具备禁带宽度 大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力 强等优越性能, 是固态光源、 下一代射频和电力电子器件的核心, 在半导体照明、消费类电子、5G 移动通信、新能源汽车、智能 电网、轨道交通等领域具有广阔的应用前景,有望突破传统半导 体技术的瓶颈, 与第一代、 第二代半导体技术互补, 对节能减排、 产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用,正在成为全 球半导体产业新的战略竞争高地. 氮化物紫外材料(AlGaN)是氮化物 AlN 材料与 GaN 的合金 材料. 紫外 LED (UV LED) 产品目前是紫外光电子的主流产品 (紫 外光电子器件包括紫外 LED、紫外激光器和紫外光电探测器), 被广泛应用于聚合物固化、杀菌消毒、生物探测、非视距通信、 冷链运输、重化工等领域.特别是深紫外 LED 芯片制备技术不断 提升、《关于汞的水俣公约》正式生效,紫外 LED 在替代传统紫 外光源领域和新兴市场上将迎来产业化应用的突破口. 发展第三 代半导体紫外 LED 产业是长治建设全国首批老工业城市和资源 II 型城市产业转型升级示范区的新引擎,是大力培育新兴产业、推 动经济结构调整、 提升城市价值、 实现创新驱动发展的重大举措, 具有重要的战略意义. 建设资源型经济转型发展示范区、打造能源革命排头兵、 构建内陆地区对外开放新高地 ,是新时代党中央对山西在全国 发展格局中的战略定位和赋予的全新使命, 也是长治未来一段时 期内各项工作的总体要求.发展第三代半导体紫外 LED 产业、构 筑新科技功能板块、推动资源型城市转型升级,符合长治新时期 的发展定位. 规划范围:长治市全域. 规划依据:《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006 ―2020 年)》《国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的 决定》《中共中央 国务院关于深化科技体制改革加快国家创新 体系建设的意见》《中共中央 国务院关于深化体制机制改革加 快实施创新驱动发展战略的若干意见》《 十三五 国家战略性 新兴产业发展规划》 《国务院关于支持山西省进一步深化改革促 进资源型经济转型发展的意见》 《贯彻落实国务院支持山西省进 一步深化改革促进资源型经济转型发展意见行动计划》 《长治市 国民经济和社会发展第十三个五年 (2016―2020) 规划纲要》 《山 西长治产业转型升级示范区建设方案》等文件. 规划内容:《长治市第三代半导体紫外 LED 产业发展规划 (2019―2023 年)》(以下简称《规划》)结合当前第三代半 导体紫外 LED 产业发展现状与趋势, 统筹考虑长治产业基础和条 III 件,分析发展优势和不足,明确提出长治发展第三代半导体紫外 LED 产业的总体思路、发展原则、战略目标、空间布局、建设内 容、主要任务和重点项目、保障措施,引导各类要素资源集聚, 形成创新驱动、区域协调、绿色发展、开放合作、资源共享的产 业发展新格局. 《规划》以打造 国家级第三代半导体紫外 LED 产业集群 为目标,按照 大集团引领、大项目支撑、园区化承载、集群化 推进 的总体思路,以 长治高新区和长治经开区 为核心空间 载体, 以紫外 LED 和LED 显示为两大产业支撑, 围绕 一个核心、 两大平台、三大园区 ,构建 芯片核心层、配套扩展层、应用 发散层 的LED 产业结构,重点开展完善产业链条、突破关键技 术、推动示范应用、扶持标杆企业、集聚产业人才、强化招商引 资等工作.同时,制定了组织保障、资金支持、人才支撑、创新 生态等保障措施.未来