PDF《洪朝生》

60 年代的变程跳跃导电理论的 完成,1977 年莫特和安德森都因为对无序系统的研究而获得了诺贝尔物理学奖.

1956 年底严济慈为团长的代表团赴苏联考察半导体技术, 代表团成员有王守武、 洪朝生、成众志、吴锡九等,历时

2 个多月,在参观了多个苏联的大学和研究所之 后,苏方提出想听听中方的研究工作,严济慈推荐洪朝生做报告,洪朝生就把他的 杂质能级导电工作做了介绍.当时莫斯科苏联科学院物理问题研究所的朗道(L.D. Landau,1962 年诺贝尔物理奖获得者)和卡皮查(P.L. Kapitza,1978 年诺贝尔物理 奖获得者)听完洪朝生的报告,感到很震惊,认为这可不是一般的报告,对他大加 赞赏,朗道以前就了解这个工作,没想到今天见到洪朝生本人.随后在朗道的推荐 下,莫斯科其它研究所和大学纷纷邀请洪朝生去做报告,让本来看不起中国半导体 研究工作的苏联人现在对中国肃然起敬.多年之后洪朝生的学生张殿琳院士问起他 如果当年不回国而是选择在国外继续这方面的研究,诺贝尔奖会不会颁给他时,洪 朝生沉思一会儿,摇了摇头说 没有如果 ,他从未动摇和后悔回国的决定. 低温物理研究离不开低温条件,当时荷兰莱顿大学是国际上顶尖的低温研究机 构,其低温实验室是以卡末林・ 昂纳斯(K. K. Onnes)名字命名.昂纳斯最先实现 He 液化,也是超导的发现者.1950~1951 年洪朝生在这个实验室工作,深入系统地学 习了获得低温的技术, 同时在低温物理方面, 取得了一个很重要的突破, 即他于

1951 年,与P.Winkel 合作,在超流 He II 中观察到临界速度的存在(由于 Gorter-Mellink 互摩擦耗散的出现) .当时 P.Winkel 是在莱顿大学读研究生,做完实验对实验结果分 析不透彻,是洪朝生发现有个临界值(论文发在 LT-2 上,当时 LT 这样的会议没有 Post 论文,参会者严格限制,一个单位只能有一个人参加) . 在昂纳斯实验室的实验工作,激发了洪朝生对低温的热爱,他写信与钱三强联 系,钱三强热情邀请洪朝生回国开创低温事业,这样洪朝生在

1951 年赴英国参加完 第二届国际低温物理会议后,取道地中海经香港回国,并接受钱三强、彭桓武、陆 学善等建议,在中科院应用物理所开创低温科学研究,同时希望不放弃半导体方面 的研究.1952 年受聘为清华大学、北京大学物理系任教授,在北大与黄昆、王守武、 汤定元合作开设 半导体物理学 课程.但主要精力还是在中科院应用物理所开展 半导体物理和低温物理两个领域的研究工作,任低温物理室和半导体材料组两个部 ・6・

20 世纪中国知名科学家学术成就概览・物理学卷 门的负责人.在半导体材料研究方面生长出的锗单晶达到了器件制造的要求,之后 在1957 年洪朝生不再担任半导体材料组负责人,由林兰英接任,1960 年以应用物理 所半导体室为基础,成立了中科院半导体所,独立出去.洪朝生将主要精力转向低 温物理和低温技术领域. 新中国成立初期,钱三强和彭桓武从新中国发展的战略目标考虑,提出应在中 国开展低温基础研究的建议.从事低温物理研究,必须先要有低温条件,当时中国 低温工程事业完全是空白,需要从头开始.在钱三强、彭桓武等人推动下,中科院 决定在应用物理所 (即现在的物理所) 建立低温物理实验室, 并拨款旧币