PDF《端稳压器》

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PRODUCTION DATA. English Data Sheet: SLVSCO3 TPS54116-Q1 ZHCSFG9A CAUGUST 2016CREVISED AUGUST

2016 TPS54116-Q1 2.95V 至至6V 输 输入 入、 、4A 降 降压 压转 转换 换器 器和 和1A 拉拉/灌 灌电 电流 流DDR 终终端端稳 稳压 压器 器11特特性 性1? 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果: C 器件温度

1 级:-40℃ 至+125℃ 的环境运行温 度范围 C 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级

2 C 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6 ? 单片 DDR

2、DDR3 和DDR3L 存储器电源解决方 案?4A 同步降压转换器 C 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半 导体场效应晶体管 (MOSFET) C 固定频率电流模式控制 C 可调频率范围:100kHz 至2.5MHz C 与一个外部时钟同步 C 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1% C 可调逐周期峰值电流限制 C 针对预偏置输出的单调性启动 ? 直流精度为 ±20mV 的1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器 C 与2*10?F 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工 作时保持稳定 C 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的49% 至51% 之间 ? 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调 ? 热关断 ? 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至150°C ?

24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装

2 应 应用 用?嵌入式计算系统中的 DDR

2、DDR

3、DDR3L 和DDR4 存储器电源 ? SSTL_

18、SSTL_

15、SSTL_

135、SSTL_12 和HSTL 终端 ? 信息娱乐和仪表板 ? 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)

3 说 说明 明TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降 压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器. TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小 电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高 达2.5MHz.开关频率可设置在中波频段以上以满足噪 声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步.同 步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值.效 率通过集成 25m? 低侧 MOSFET 和33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升.逐周期峰值电流限 制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的 电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化. VTT 终端稳压器仅利用

2 * 10?F 的陶瓷输出电容即可 保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量. TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最 佳的稳压效果. 该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流 降至 1?A.欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电 阻网络进行设置.VTT 和VTTREF 输出被 ENLDO 禁 用时会进行放电. 该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm * 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸. 器 器件 件信 信息 息(1) 器 器件 件型 型号 号封封装 装封封装 装尺 尺寸 寸( (标 标称 称值 值) ) TPS54116-Q1 WQFN (24) 4.00mm x 4.00mm (1) 如需了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录. 简 简化 化电 电路 路原 原理 理图 图2TPS54116-Q1 ZHCSFG9A CAUGUST 2016CREVISED AUGUST

2016 www.ti.com.cn Copyright ? 2016, Texas Instruments Incorporated 目 目录 录1特特性 性.1

2 应 应用 用.1

3 说 说明 明.1