PDF《ZnO 纳米花的制备及其性能》

ZnO纳米花的制备及其性能 吴晓萍 刘金养 林丽梅 郑卫峰 瞿燕 赖发春 Preparation and characteristics of ZnO nanoflowers Wu Xiao-Ping Liu Jin-Yang Lin Li-Mei Zheng Wei-Feng Qu Yan Lai Fa-Chun 引用信息 Citation: Acta Physica Sinica, 64,

207802 (2015) DOI: 10.

7498/aps.64.207802 在线阅读View online: http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.207802 当期内容View table of contents: http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2015/V64/I20 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 近紫外激发具有颜色可调的Er3+ /Eu3+ 共掺BiOCl荧光粉 Color-tunableness of Er3+ /Eu3+ co-doped BiOCl phosphors for near ultraviolet excitation 物理学报.2015, 64(17):

177803 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.177803 半导体量子点在白光LED器件上的应用研究 Application of semiconductor quantum dots to white-light-emitting diodes 物理学报.2015, 64(13):

137801 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.137801 Eu3+ 掺杂CaMoO4 微米荧光粉发光性质的研究 Luminescence properties of Eu3+ doped CaMoO4 micron phosphors 物理学报.2015, 64(10):

107803 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.107803 生长条件对Ga掺杂ZnO薄膜微观结构及光致发光性能的影响 Effects of growth conditions on the microstructures and photoluminescence properties of Ga-doped ZnO films 物理学报.2015, 64(8):

087803 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.087803 新型电子俘获型材料β-Sr2SiO4:Eu2+ La3+ 长余辉和光激励发光性能的研究 Long persistent and photo-stimulated luminescence properties of β-Sr2SiO4:Eu2+ La3+ phosphors 物理学报.2015, 64(1):

017802 http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.017802 物理学报Acta Phys. Sin. Vol. 64, No.

20 (2015)

207802 ZnO纳米花的制备及其性能? 吴晓萍 刘金养 林丽梅 郑卫峰 瞿燕 赖发春? (福建师范大学物理与能源学院, 福建省量子调控与新能源材料重点实验室, 福州 350117) (

2015 年5月12 日收到;

2015 年6月14 日收到修改稿 ) 利用化学气相沉积法, 在铜箔上成功制备出形似自然界中刺球花的 ZnO 纳米花结构. 实验进一步研究了 氧气和氩气流量比例分别为

1 : 150,

1 : 200,

1 :

250 和1:400 时对 ZnO 纳米花结构和性能的影响. 结果表明, ZnO 纳米花上的 ZnO 纳米棒的长径比随氧气氛的减少而减小;

在氧气和氩气流量比例为

1 :

250 时制备出的 ZnO 纳米花尺寸均匀、 形貌均

一、 花型结构最完美. ZnO 纳米花的室温光致发光谱表明, 随着氧气氛的减少, 可见区域的发光从一个波包变成一个宽峰, 且与锌空位相关的缺陷发光峰在减弱, 与氧空位相关的缺陷发光 峰在增强. 基于实验结果, 提出了一种在铜箔上制备 ZnO 纳米花结构的生长模型. 关键词: ZnO 纳米花, 铜箔, 化学气相沉积法, 光致发光 PACS: 78.55.Cm, 78.67.Qa, 78.66.Hf DOI: 10.7498/aps.64.207802

1 引言ZnO 是一种新型的 II-VI 族直接宽带隙半导体 材料, 常温下的禁带宽度为 3.37 eV, 激子结合能高 达60 meV, 是一种优异的紫外发光材料, 在光电器 件、 传感器等方面有着广泛的应用前景 [1?3] . 例如 Feng 等[4] 利用电场辅助化学气相沉积法在硅片上 制备 ZnO 同质结发光二极管, 并展现出很好的整 流特性;

Hussain等[5] 通过对ZnO薄膜进行退火处 理, 获得更高的薄膜电导率和电子迁移率, 有利于 提高 Cu2O/ZnO 异质结太阳能电池的性能;

Chien 等[6] 利用 ZnO纳米棒制备了臭氧传感器以及 Shao 等[7] 将ZnO薄膜应用在气体传感器上等. 目前 ZnO 的制备方法有很多, 主要有气相法、 液相法和固相法. 其中气相法是研究最多的方法, 主要有物理气相沉积法 (PVD) [8] 、 脉冲激光沉积法 (PLD) [9] 和化学气相沉积法(CVD) [10] 等. PVD是 对原料在惰性气氛下直接加热形成蒸气, 再沉积到 衬底上;