PDF《焦热电红外阵列探测器》

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dias-infrared.com 焦热电红外阵列探测器 PYROSENS 测量应用 电气参数

3 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 4.75 5.0 5.25 V VD2 2.4 2.5 2.6 V 数字输入, 低电压

0 0.3 VDD V 数字输入, 高电压 0.7 VDD VDD V 数字输入, 切换阈值 0.5 VDD V 数字输入, 泄露电流 ±

1 ?A 电流消耗

8 mA AD590 操作电压

4 4

5 30 V ? ? 11.16±0.2mm 1.05 ± 0.1mm PYROSENS C 焦热电红外线性阵列 128LTx, 256LTx 有128,

256 或510 个探测元件及一体式 CMOS 多路转换器 批量生产线性阵列 焦热电线性红外阵列设别设计用于非接触测温和红外光谱应用,包含

1 个钽酸锂芯片,有128 个、256 个或

510 个元件.信号由这些元件产生,在CMOS 电路中处理.信号处 理由模拟电路来执行,该模拟电路包含

1 个多路器、1 个输出放大器、1 个每个像素的 可调低噪声前置放大器.焦热电芯片和 CMOS 读出电路位于薄膜基片上,该基片安装 在密封金属外壳内.入射的辐射通过

1 个窗口,达到敏感元件.该窗口对红外波长是 透明的. 前置放大器将每个像素的信号负荷转换为一个信号电压,包含带宽限制,并将放大的信号 传递到采样保持用于读出过程.这些数字输入都是 CMOS 兼容的. 用测量探测器温度,在阵列包内集成了一个传感器(型号 AD 590),其输出电流和温度 成正比.该焦热电芯片和读出电路放置在一个金属密封包装内,该包装有一个红外窗 口来确定光谱响应率. 一般来说,对所有焦热电探测器,进入的红外辐射为了做测量,需要脉冲调节.

128 256 1.510 12.8mm 读出方向(仅对 510LTx ): OUT1 (奇像素): 1,3,...509 OUT2 (偶像素): 510, 508,...2 技术数据 特征 最大/最小状态

1 典型响应率 C 128,

256 或510 像素在同一条线上 C NEP (128Hz)小到 1.1 nW (128LTx, 256LTx), 1.3 nW (510LTx) C 动态范围>75 dB C 调制频率可达

512 Hz C 输出电压 2.5 V ±

2 V C 一体式 CMOS 多路器 C 长期高稳定性 C 简单操作模式 C 环温下操作 C 小包装 C 带涂层的硅或锗作为红外窗口 C 宽波段窗口(> 1.3 ?m)或特殊定制滤光片 C 可定制特殊尺寸的

510 元件阵列 C VDD,VD2: C0.3V~7V C 数字输入 CLK, RES,VVR,VDR,VSH: C0.3V ~ VDD + 0.3 V C 斩波平铝 fCh : 10~512 Hz C AD590+ ~ AD590C: C20 V to

44 V C 模拟输出

2 : ±

5 mA C 最大发射量:

50 mW/mm2 C 焊接温度:

300 °C C 存储温度: C20~80°C C 操作温度: C15~70°C

1 所有电压都是对地而言(针脚 10, 15).

2 无短路电阻. 510LTx 典型 MTF 典型MTF

3 所有值都是对 VDD =

5 V,VD2 = 2,5 V而言.

4 见模拟设备数据页.5 对510LTx 有效. www.dias-infrared.com www.dias infrared.com 128LTx, 256LTx 及510LTx 针脚 针脚 名称 功能

1 CLK 输入时钟 CLK (在上升沿触发)

2 RES 输入时钟 RES (低电平激活)

3 VVR 输入时钟 VVR (高电平激活)

4 VDR 输入时钟 VDR (高电平激活)

5 VSH 输入时钟 VSH (高电平激活)

6 VD2 操作电压 (+2.5 V)

7 VDD 操作电压 (+5 V)

8 VD2 操作电压 (+2.5 V)

9 OUT, OUT13 模拟信号输出, 模拟信号输出(奇数像素)3

10 GND 接地

11 n.c., OUT23 不连接, 模拟信号输出(偶数像素)3

12 AD590+ 温度传感器

13 AD590C 温度传感器

14 case 外壳

15 GND 接地

16 VDD 操作电压 (+5 V) 及510LTx 焦热电线性阵列 C 型号和特征 型号 128LT 128LTI 128LT SP0.5 128LTI SP0.5 128LT SP1.0 128LTI SP1.0 256LTI 256LTI SP0.5 256LTI SP1.0 510LTI 510LTI SP0.5 像素