PDF《XT2503》

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1 GaAs 微波低噪声晶体管 Rev 1.1 XT2503 仙童科技 产品简介 XT2503 是一个使用 0.15μm 栅长的砷化镓 pHEMT 晶体管(wg=100μm),该型号具有较高的增 益和高动态范围.该器件可用于高达 50GHz 的电路中,适用制作低噪声和中功率放大器应用.所有 焊盘均镀金,适用热声线焊接. 典型应用 ? 混合微波集成电路 ? 测试测量 ? 宽带放大器 绝对最大额定值 符号 指标 绝对值 单位 VGS 栅极-源极电压 -1.2~-0.2 V VGD 栅极-漏极电压

12 V IDS 漏极电流

80 mA Pdiss 耗散功率

270 mW Pin max 最大射频输入功率

12 dBm IGS 栅源电流

2 mA TCH 沟道温度

150 ℃ TSTG 储藏温度 -60~150 ℃ jc 热阻

200 ℃/W 实物图 电性能 符号 指标 条件 最小 典型值 最大 单位 IDSS 饱和漏极电流 Vds =2V, VGS=0V

35 50

75 mA gm 跨导 Vds =2V

40 65 ― mS Vp 夹断电压 Vds =2V, Ids =0.1mA ― -1.2 ― V NF 最小噪声系数 Vds =2V, Ids =10mA,f=30GHz ― 1.5 ― dB GA 最佳噪声匹配增益 Vds =2V, Ids =10mA,f=30GHz ― 5.6 ― dB 成都仙童科技有限公司 办公地址:成都市高新西区天彩路

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2 GaAs 微波低噪声晶体管 Rev 1.1 XT2503 仙童科技 S 参数特性曲线 VDS=2V IDS=20mA S11 S22 S21 S12 成都仙童科技有限公司 办公地址:成都市高新西区天彩路

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3 GaAs 微波低噪声晶体管 Rev 1.1 XT2503 仙童科技 I-V 特性曲线 芯片尺寸(μm) 注意事项 1.背面是源级 2.焊盘尺寸:80x80μm 3.厚度:100μm 装配方式:建议使用导电环氧树脂或共晶焊接方式粘 接. 引线键合:推荐采用直径 18um 金丝键合. 注意事项:芯片在干燥、氮气环境中存储,在超净环境 使用.芯片对静电敏感,在储存和使用过程中注意防静 电.