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liisemi.com 高性能 AC/DC 开关电源次级同步整流功率开关 澎湃驱动力 源于力生美 主要特点 u 内置 TrueWave TM 实时波形追踪技术 u 5V/9V/15V/20V 超宽范围同步整流 u 支持开关电源 CCM/CrM/DCM 模式 u 内置 NMOSFET VDS 耐压高达 105V u 内置 NMOSFET RdsON 低至 15mΩ u 比传统二极管整流效率提高 3~6% u 极宽的工作电压范围 4V 至40V u 允许使用简单的正反激整流方式供电 u 也可 5V 直接供电或由辅助绕组供电 u 无开关时静态工作电流可低至 0.2mA u 支持开关电源频率最高至 150kHz u 至简外围最简应用无需任何外部器件 u 合理脚位布局的标准 SOP8 封装形式 应用领域 ? 5V2.4A~12V2.5A 充电器 ? 高效率适配器 概述 LN5S21 是一颗内置 MOSFET 的高性能的开关电 源次级侧同步整流功率开关集成电路, 可以方便地 在应用中构建满足 CoC V5 及DoE

2016 等6级能效的 5~20V 电压范围 2.5A 电流级别的快速充 电开关电源系统, 是性能优异的理想二极管整流器 解决方案.芯片内置了独特的 TrueWave TM 全时波 形追踪技术,可支持高达 150kHz 的开关频率应 用,并且支持 CCM/CrM/DCM 等各种开关电源工作 模式应用, 可在开关电源的每一个波形转换的边沿 自动快速打开或关闭内部的 Low RdsON MOSFET 器件, 利用其极低的导通压降实现远小于诸如肖特基 二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率, 大幅降低了整流器件的温度, 可方便地实现极高转 换效率的低压大电流的开关电源应用. 芯片内置耐压高达 105V 的NMOSFET 同步整流 功率开关,且具有极低的内阻,典型 RdsON 低至 15mΩ,可提供系统最高达 2.5A 电流输出能力, 获得优异的转换效能,大幅提高转换效率. 芯片还内置了高压直接检测技术, 检测端子耐压 高达 105V,配合高达 40V 的供电电压范围,使得 控制器可直接使用从变压器端子上获得的正反激 能量进行供电操作, 从而通过简单的方式得到更佳 的导通电阻性能并允许输出电压下降到很低的值. 高集成度的电路设计使得芯片外围电路极其简 单,在5V/9V/15V/20V 快充应用中,仅需一颗电 容器件即可构建一个完整的同步整流应用. 可提供满足RoHs 要求的SOP8 封装.Fig1. 典型连接 (5V/9V/12V 快充应用) Rev:C LN5S21 Copyright(C)

2018 Lii Semiconductor -8- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 封装信息 SOP8 LN5S21 Copyright(C)

2018 Lii Semiconductor -9- www.liisemi.com 澎湃驱动力 源于力生美 订购信息 型号 绿色标准 封装 包装方式 LN5S21 Halogen Free SOP8 100PCS/TUBE 声明 力生美、 Lii semi、 等均为力生美半导体器件有限公司的商标或注册商标,未 经书面允许任何单位、公司、个人均不得擅自使用,所发布产品规格书之著作权均受相 关法律法规所保护,力生美半导体保留全部所有之版权,未经授权不得擅自复制其中任 何部分或全部之内容用于商业目的. 产品规格书仅为所描述产品的特性说明之用,仅为便于使用相关之产品,力生美半 导体不承诺对文档之错误完全负责,并不承担任何因使用本文档所造成的任何损失,本 着产品改进的需要,力生美半导体有权在任何时刻对本文档进行必要的修改,并不承担 任何通知之义务. 力生美半导体系列产品均拥有相关技术之自主专利,并受相关法律法规保护,未经 授权不得擅自复制、抄袭或具有商业目的的芯片反向工程,力生美半导体保留相关依法 追究之权利. 力生美半导体不对将相关产品使用于医学、 救护等生命设备所造成的任何损失承担 责任或连带责任,除非在交易条款中明确约定. 最新信息请访问: www.liisemi.com