编辑: lonven 2016-08-02

45 °C /W TJ 工作时结温范围 -40 ~150 °C TSTG 存储温度 -55 ~

150 °C ESD耐压(注释3)

2 kV 推荐工作范围 符号 符号说明 范围 单位 VIN VDD 输入电平

0 ~

35 V TOPT 工作温度 -40~ +85 °C 注释 1: 超出最大范围器件可能损毁.推荐工作范围内器件可以工作,但不保证其特性.电气特性表明的直流和交流特 性是在特定条件下测得,其特性可以保证.此特性假定器件在推荐工作范围内工作.未示出特性不保证其性能. 典型值是最佳性能点. 注释 2:在严格温度条件下, 最大功耗需降档. 其由TJMAX, θJA,和环境温度TA来决定, 最大允许功耗为PDMAX = (TJMAX - TA)/ θJA和最大额定值给出的偏低者. 注释 3: 人体模式, 100pF电容通过1.5k?电阻放电 CL6808 35伏耐压1.2A驱动能力的大功率LED驱动器 CL6808_CN Rev. 2.1

5 www.chiplink-tech.com 电气特性 (注释4, 5) VIN=VEN=3.6V, 若非特别注释,默认环境温度25℃ 符号 符号说明 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VIN 输入电源电压

5 35 V FSW 最高开关频率

1 MHz ΔfOSC 抖频范围 -6 +6 % VISNS 平均电流采样阈值电压 VIN-VISNS

95 100

105 mV VISNS_hys 采样阈值迟滞 ±15 % 可选 ±30 % IISNS ISNS 端输入电流 VIN-VISNS=100mV

8 μA IOFF 静态输入电流 (输出关断)

75 μA IOP 静态输入电流(输出开关) 1.8 mA VADJ_H ADJ输入电平高 2.5 V VADJ_L ADJ输入电平低 0.5 V VADJ_DC 直流亮度控制 0.5 2.5 V fADJ 最大ADJ调光频率

20 kHz DPWM_LF 低频调光时的占空比 fADJ <

500Hz 0.01

1 亮度控制范围 100:1 DPWM_HF 高频调光时的占空比 fADJ >

10kHz 0.2

1 亮度控制范围 5:1 IADJ H ADJ端高漏电流 VADJ = 5V -1 +1 uA IADJ_L ADJ端低漏电流 VADJ =

0 0.2

1 uA RLX MOS管导通电阻 ILX=1A 0.5 ? ILXmean MOS管连续电流 1.2 A ILEAK MOS管漏电流 0.5

5 μA 注释4: 典型参数在25℃ 下测得并被当作正常值 注释5: 数据表中的最大最小值为设计、测试及统计分析所保证 CL6808 35伏耐压1.2A驱动能力的大功率LED驱动器 CL6808_CN Rev. 2.1

6 www.chiplink-tech.com 应用信息 z 选择 RSENSE 设定LED电流 CL6808可通过在VIN和ISNS端之间接一个电阻来设定LED的电流. 可用下式来计算所需电阻: ADJ out ADJ 0.1 V I = (0.5V V 2.5V) 2.5 Rs * ≤ ≤ * z 稳流工作原理 CL6808通过迟滞比较器(见图1)来实现LED输出稳流的功能.当流过电感的电流爬升时,在RSENSE电阻上的电压 也随之上升,直至达到迟滞比较器的上限,这是就将关断内置MOS管,此后电流将通过肖特基二极管形成环路;

同理, 当电感电流回落至一定值使RSENSE电阻上的电压达到比较器下限时,MOS管将再次打开,电感电流将再次上升.振荡 频率由下式决定: LED LED SENSE sw (VIN - n V ) n V R f = VIN ΔV L * * * * * * N是LED的数量, VLED是单个LED的正向导通电压, 而ΔV = (VSNS_HI - VSNS_LO). z 二极管的选择 为了提高效率,自由电流环路的二极管的正向导通电压越低越好,肖特基二极管是很好的选择.务必要保证肖特基 二极管的可以承受最大工作电压,而且二极管额定正向导通电流要大于应用的最大LED电流 z LED 电流纹波 LED电流纹波等于电感电流纹波,在需要更低的LED纹波的场合,可以在LED两端旁路电容. CL6808 35伏耐压1.2A驱动能力的大功率LED驱动器 CL6808_CN Rev. 2.1

7 www.chiplink-tech.com z PCB布版指南 仔细的PCB布局布线可以降低开关损耗并获得系统的稳定工作.使用多层版可以获得更好的抗噪性能.大电流接地 回路、输入旁路电容接地和输出滤波器地线采用星型连接(星型接地结构),可进一步降低接地噪声.正常工作状态 下有两个大功率回路:一个回路是内部MOS管导通时形成的,由VIN-RSENSE-LED-电感-本芯片-GND形成,另一个时 MOS管关断时的回路,由RSENSE-LED-电感-续流二极管形成.为降低噪声干扰,每个回路的面积应尽可能小. RSENSE须尽可能靠近输入滤波........

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