PDF《齐头并进,5G 催生化合物半导体新龙头》

3800 1350

8500 1200 击穿场强(106 V/cm) 0.1 0.3 0.7 3.5 饱和漂移速度(106 cm/s)

6 10

20 25 热导率(W/m℃)

60 130

55 170 能带跃迁类型 间接 间接 直接 直接 高频性能 差差好好高温性能 差中好优异 光学应用 无无红外 蓝光/紫外 制造成本 中低中高发展阶段 淘汰 成熟 成熟 发展中 物理性质 应用性质 资料来源:网络资料,国联证券研究所

图表 3:化合物半导体应用属性

1 10

100 1000 0.1

1 10

100 1000 功率密度(W/cm

2 ) 频率/GHz Silicon SiC GaAs GaN SiGe InP 高频应用 功率应用 资料来源:网络资料,国联证券研究所整理 GaAs:高速射频器件最佳选择.GaAs 在移动通信中主要用于射频(RF)

7 请务必阅读正文之后的免责条款部分 发现价值 实现价值 器件,即工作在 GHz 其以上频段的高速模拟电路器件.如4G 通信采用 2GHz 至2.5GHz 频段,无线网络(WLAN)采用 2.4GHz 和5GHz 频段.GaAs 产品 的主要市场是移动设备的射频器件,如智能手机、平板电脑等,此外通信基站、 光通信、有线电视、卫星通讯等网络基础设施,以及雷达、军事通信、电子战 等军事航天设备设施也是 GaAs 产品的高附加值市场. 由于 GaAs 较高的电子迁 移率和饱和电子漂移速度等性能上对硅的巨大优势,在射频应用中 GaAs 器件 的占比和前途远超硅基器件,特别是在射频功率放大器(PA)市场.而在频率 更高的光纤通信应用中,GaAs 器件更是几乎唯一的选择.我们认为在即将到来 的5G 高速移动互联时代,GaAs 器件仍将是是高速射频 PA 的最佳乃至唯一选 择.而由于军品必须自主生产的硬性规定,三安亦是军用 GaAs 单片微波集成 电路(MMIC)需求爆发最可能的受益者.

图表 4:GaAs 射频器件应用 移动设 备,71% 网络基 础设施, 18% 国防与 航空航 天,11% 移动设备 智能手机 平板 M2M 网络基础设施 基站 光通信 有线电视 点对点无线 卫星通讯 国防航空 雷达 军事通信 电子战 资料来源:Triquint,国联证券研究所

图表 5:GaN 功率电子器件应用预测 新能源汽车充电器 新能源汽车逆变器 资料来源:Yole,国联证券研究所 GaN:功率电子明珠,基站 和军用 PA 新贵.GaN 器件是近

10 年来新崛起 的化合物半导体材料,由于 GaN 优异的耐高温和高电压性能,GaN 是汽车功率 电子器件最有竞争力的材料.GaN MOSFET 由于其横向器件易于集成和兼容硅 工艺的特性,有望在汽车充电器和逆变器市场替代 Si IGBT.此外,由于 GaN 在低导通损耗、高电流密度和优异的高频性能,GaN 基芯片也已基本被确定为 下一代基站和军用大功率 PA 的唯一选择.我们认为 GaN 市场爆发几成定局, 三安布局 GaN 芯片是极具前瞻性的好棋.

8 请务必阅读正文之后的免责条款部分 发现价值 实现价值 1.2 移动互联时代到来,化合物半导体乘风而起 1.2.1 5G 高速移动互联临近,化合物半导体独霸天下 近日中国移动总裁董事长尚冰与韩国 KT 黄昌奎及日本 NTT Docomo 社长 加藤薰会晤讨论

2018 年冬奥会试点 5G 事宜.此外,7 月发布的《国务院关于 积极推进 互联网+ 行动的指导意见》也提出,到2018 年, 固定宽带网络、 新一代移动通信网和下一代互联网加快发展,物联网、云计算等新型基础设施 更加完备. 通信基础设施升级将带来万亿级的基础设施投资和重点设备消费, 而广覆盖的高速通信网络将为 物联网+ 、智能制造效率提升和全新业态的出 现提供了发展基础.我们认为在我国经济进入 新常态 、 换档期 ,迫切需要 稳增长和催生经济增长新动力的时期,加快推进网络基础设施建设;