PDF《《关于对天津中环半导体股份有限公司 2018 年年报的问询》

2018 年末占用资金余额,以及计入其 他非流动资产科目金额的具体会计处理符合《企业会计准则》的相关规定. 问题

4、 报告期内, 你公司研发投入 7.75 亿元, 其中研发投入资本化的金额 3.56 亿元, 同比上升 191.02%.请你公司详细说明报告期研发投入金额大幅增长的原因,公司研发投入 资本化的具体项目、金额、确认时点、依据,并结合同行业公司的研发资本化政策,说明 研发投入资本化确认的合理性及是否符合企业会计准则等的要求,并请年审会计师发表专 项意见. 【回复】

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一、报告期研发投入金额大幅增长的原因 公司不断加大研发投入,推动工业 4.0,提升产品品质,2018 年实现营业收入 137.56 亿元,同期增长 42.63%;

加权劳动生产效率

172 万元/人,同期增长 15.48%;

实现产业升级 和降本增效,满足了产品大直径化、PERC 电池升级等产业需求,积极应对了

531 政策 引起的价格波动. 报告期内研发投入 7.75 亿元,其中研发投入资本化的金额 3.56 亿元(半导体材料 0.11 亿元,新能源材料 3.45 亿元) . 在新能源研发投入方面,2018 年成为单晶产品攻城略地的一年,市场单晶份额由

2017 年的 28%发展到

2018 年的 48%. 根据 PVInfoLink 预测,

2019 年单晶市场份额将达到 57%. P 型PERC 电池以优异的性价比在未来几年将继续引领单晶市场,N 型电池(HJT、IBC)由 于高转化效率等优势,市场份额会不断提升.目前公司单晶硅的综合实力、整体产销规模位 列全球前列,其中高效 N 型硅片市场占有率全球第一.2018 年上半年,受行业产品价格波 动及国内

531 政策的影响,给公司经营带来一定难度.公司认真分析行业变化和市场形 势,以客户需求和价值为导向,在技术创新及内部技术项目管理等方面不断创新求变,顺应 市场需求,取得了良好的经营业绩.光伏行业的终极目标是 降本增效 ,为此公司专注于 单晶硅的研发与产业化推广,持续加大研发费用的投入,缩短与多晶硅的成本差距.通过研 发项目开发具有自主知识产权的单晶硅材料技术成果并实现产业化, 以提高企业自主研发能 力,增强自主创新能力,形成拥有自主知识产权的产品和特色,增强市场的竞争能力.在薄 利时代,技术创新是光伏企业立于市场不败之地的 法宝 .今后技术开发整体方向为降低 成本、提升品质,提高产品竞争力. 在半导体研发投入方面,随着 IGBT 在节能、变频领域应用的进一步扩大,IGBT 在中国 消费类电子、汽车电子、风能发电、智能电网、机车牵引、电机变频调速等市场继续以较快 的速度发展.公司加大研发投入,通过项目开发具有自主知识产权的

8 英寸区熔单晶硅材 料技术并实现产业化,以提高企业自主研发和自主设计起点,增强自主创新能力,形成拥有 自主知识产权的产品和特色, 增强未来市场的竞争能力, 以促进硅基材料........