编辑: 没心没肺DR 2017-11-05

HCMOS)电平. 正逻辑控制(高电平为 IGBT 导通) ,X1.4 为上管 IGBT 控制 信号,X1.2 为下管 IGBT 控制信号. 2,故障输出: 当发生 IGBT 过流时,驱动板会自动关断发生过流的 IGBT. 故障信号的输出 X1.3 可以要求高电平有效(高电平为故障) 或低电平有效输出.当输出为高电平有效时,X1.3 要求接 上拉电阻.当输出为低电平有效时,X1.3无需接上拉电阻, 这时多块驱动器可共用一条故障输出线路. 上拉电路电压应 小于 24V,灌入电流应该小于 6mA(见图 7).默认的故障信 号输出为高电平有效. 3,故障复位: 将X1.4 置高超过

5 微秒,故障自动复位. 4,控制板与驱动板之间的连线: 应该尽量缩短控制板与驱动板之间的连线长度, 当连线长度 小于 50cm 时,采用普通的扁平电缆直接连接即可.如果 连线长度介于50cm~100cm之间时,只能采用CMOS电平 进行信号传输,信号线需要使用双绞线或者采用屏蔽电缆, 如果采用屏蔽电缆,屏蔽层可以接到 X1.1,并将 J20,K20 短接.连接线长度不允许超过

1 米(见图 8). 5,驱动板与 IGBT 之间的连接: 如果仅仅只是连接一只功率较小的IGBT,开通和关断的两个门 极输出端子可通过短接跳线J12,K12将它们连接到一起, 用 一根门极输出导线连接到 IGBT. (如图 9) .但我们强烈 建议您最好是把驱动板上内置的 RGon 及RGoff 短接掉,把门 极电阻RGon 及RGoff 放置到紧挨着IGBT门极按装的一小块PCB 上面以避免因过高的峰值电流通过门极电阻时所带来驱动器 表面过高的温升. 驱动器与IGBT模块之间的连线应尽可能的短, 而且必须采 用双绞线. X 1.

3 X 1.

2 X 1.

4 X1. 10,11 PSHI

10 Vin Vc=+5V…+24V Rc>

Vc/6mA Rc Rc for HIGH logic ERROR 控制器 >

5μs X 1. 8,9 +15V 复位 Vs 图7,故障输出及故障复位接口参考图 图8 连接线50cm-100cm时的接法示意图 X 1.

3 X 1.

2 X 1.

4 X1.

10 PSHI

10 Vin Vc=+5V…+24V Rc>

Vc/6mA Rc Rc for HIGH logic ERROR 控制器 >

5μs X 1. 8,9 +15V 复位 Vs +15V (or +5V) X1.

11 双绞线 +15V A Control Board As short as possible PSHI

10 ERROR GND Vin X1.2 X1.10.11 2K7 X2.5 X2.3 X2.1 REC CCE Rgon Rgoff J12 K12 图9,单个 IGBT 接线图 PSHI 1012, PSHI

1017 北京普实鸿飞科技发展有限公司 010-62567686 www.pshfi.com P-08-6 PSHI 1012, PSHI

1017 5,IGBT 并联的连接: 如果需要获得大的功率输出, 就需要多只IGBT并联 来实现.并联连接方式只推荐使用同类结构的正温 度系数的IGBT, 这样可以在没有任何辅助条件下得 到正向温度系数,从而达到完善的电流分配.要想 得到一个优化的电路并使得IGBT功能的完整体现需 要特别注意以下方面:每个 IGBT 必须要有独立的 Rgon 和Rgoff , 同时必须使用一个辅助的发射极电阻RE 和一个辅助的集电极电阻 Rc.另外,电阻 Rgonx , Rgoffx ,REX (0.5Ω)和RCX (47Ω)必须安放到并联模块 附近一个附加的电路板上,同时短接驱动板内置的 Rgon / Rgoff .附加电路板到各模块之间的引线长度尽 可能的一致. (如图 10) .PSHI10 最大的门极充 电电量为 9.6 μ C. 六, 尺寸与管脚说明 图,10, IGBT 并联接线示意图 PSHI

10 X2.5 Rgon Rgoff VCE J12 K12 Rgonx Rgoffx Rcx Rcx Rcx Rex Rex Rex Rgoffx Rgoffx Rgonx Rgonx X2.3 X2.2 X2.1

115 mm

57 mm Φ3.5 mm

124 mm

66 mm X1

14 13

2 1 J8 J12 K10 K11 K9 K8 J10 J11 J9 K12 J7 K7 J6 K6 RGoff RGoff-CS IRGoff RGon RCE CCE J20 K20 SHIELD J1 K1 INPUT LEVEL J3 K3 ERROR MODE 5V 电平(TTL-HCMOS) 15V 电平(CMOS) J1;

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