PDF《及其性能研究*》

1 所示. 从表中可 以发现, 对于未退火的样品, 由于样品呈现高阻, 所 以相应的电学参数没有测出, 可能是由于晶界散射 较强引起的. 而对于退火之后的样品由于晶粒合并, 晶界散射降低, 呈现的电导类型为 p 型, 载流子浓 度为 9.56*1017 cm?3, 这为 p-n 结发光器件提供了 良好的空穴注入层. 图3Sb 掺杂的 ZnO 薄膜的 XRD 图谱 (a) 未退火;

(b) 退火 表1p-ZnO 薄膜的电学性质 样品 导电类型 载流子浓度/cm?3 霍尔迁移率/(cm2 /V・s) 电阻率 /?・cm 未退火 ― ― ― ― 退火 p 9.56*1017 1.16 5.64 低温 PL 谱是表........