PDF《瞬态电压抑制（TVS）二极管》

文件编号 XS-R-356 江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W1XT112P 版本号18-A2-06 瞬态电压抑制(TVS)二极管 页码1/3 江阴新顺微电子有限公司 地址:江苏省江阴市长山大道

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1 主要用途与主要特点 1.1 主要用途 用W1XT112P 封装的成品管主要用于 USB、手机、笔记本等电子设备的静电防护. 1.2 主要特点 低反向漏电 高静电防护能力 高可靠性

2 芯片数据 芯片示意图 芯片尺寸(mm*mm) 0.23*0.23 芯片厚度(?m) (推荐) ≤150 划片道*尺寸(?m)

40 键合区面积 (?m2) 正面 130*130 金属 铝 正面电极(阴极) 厚度 (?m) 5.0 ± 0.5 背面电极(阳极) 表层金属 金银装片要求(推荐) 共晶 低温共 晶 硅片直径(mm) φ125 键合要求(推荐) 铜丝;

φ32μm;

1 根 备注:区域①为划片刀走刀区域,划片时应在两条参考线中间;

区域②为划片道区域,宽度为 40μm;

划片时划片道边缘到铝的距离 L 不小于 6μm 即判定为合格. 文件编号 XS-R-356 江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W1XT112P 版本号18-A2-06 瞬态电压抑制(TVS)二极管 页码2/3 江阴新顺微电子有限公司 地址:江苏省江阴市长山大道

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3 电特性(在推荐的封装形式、适当的封装条件下) 3.1 极限值 除非另有规定,Tamb= 25℃ 参数名称符号 额定值 单位 备注 结温 Tj

150 ℃ 贮存温度 Tstg -40~150 ℃ 推荐封装形式:SOD-523 推荐成品:ESD5V0D5 3.2 电参数 除非另有规定,Tamb= 25℃ 规范值参数名称符号测试条件最小 典型 最大 单位 击穿电压 VBR IZ=1mA

6 6.6

8 V 反向电流 IR VR=5V - -

1 μA 正向电压 VF IF=10mA - - 0.9 V 钳位电压 VC IPP=8A (8*20us waveform) - 14.6

30 V 结电容 Ctot VR=0V,f=1MHz - 53.5

100 pF 3.3 典型特性曲线 文件编号 XS-R-356 江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片 W1XT112P 版本号18-A2-06 瞬态电压抑制(TVS)二极管 页码3/3 江阴新顺微电子有限公司 地址:江苏省江阴市长山大道

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电话:(0510)86851182 传真:(0510)86851532 注意事项: ? 芯片存储条件(推荐):氮气保护,温度 25±5℃,湿度≤45%;

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