PDF《晶盛机电（300316） CFZ 单晶炉及 8 英寸区熔炉研制成功,》

东吴证券研究所 请务必阅读正文之后的免责声明部分 晶盛机电(300316) 证券研究报告〃公司研究〃新能源行业 CFZ 单晶炉及

8 英寸区熔炉研制成功, 打开新的增长空间 ---晶盛机电公告点评 暂未评级(首次) 投资要点 ? 公告:2013 年6月4日,公司公告称直拉区熔法(CFZ)专用 单晶炉取得了重要进展;

客户采用公司的 CFZ 法单晶炉比传统 设备拉晶速度提高了 35%,月产能较传统设备提高近 25%,晶 棒成本下降 40%以上,并成功拉制出多颗高效太阳能用 CFZ 单晶;

同日,公司公告称

8 寸区熔硅单晶炉获得重大进展,在 合作单位现场成功拉制出

8 英寸气相掺杂单晶硅,是目前国产 区熔设备上拉制出的尺寸最大的气掺区熔单晶棒,比传统区熔 单晶棒生产成本降低 20%~30%,并且各项技术指标均已达到 国际领先水平.

? 与中环股份深入合作,实现强强联手:中环股份拥有

50 余年 的半导体晶体生产历史和专业经验,技术研发水平国内领先, 其区熔硅单晶/片的国内市场占有率超过 70%以上, 全球市场占 有率超过 12%,是中国最大、全球第三的供应商.中环股份利 用公司生产的专用炉拉制的 CFZ 硅单晶杂质少、 氧含量低、 光 电转换效率高,结合国际电站巨头 Sunpower 的电池技术制成 的光伏电池转换效率高达 24%. 公司与优秀的下游企业密切合 作,共同研发有助于公司在同行中保持领先地位.优秀的下游 企业选择与公司合作也是对公司研发水平、生产能力的一个佐 证. ? CFZ 专用单晶炉效率高、 显著降低晶棒成本: 公司研制的 CFZ 专用炉平均拉晶速度达到 1.75mm/min,比传统设备拉晶速度 提高了 35%,月产能较传统设备提高 25%,晶棒成本下降 40% 以上. CFZ 晶棒成本 40%以上的下降足以让 CFZ n 型片具备和 普通直拉 n 型片竞争的实力, 将极大地推动 CFZ 技术产业化的 进程.CFZ 技术产业化将直接拉动公司 CFZ 单晶炉的需求, 未来增长空间非常广阔. ?

8 英寸区熔炉实现国产,半导体设备领域的又一个里程碑:与 中环股份联合承担并由公司研制的国家科技重大专项《区熔硅 单晶片产业化技术与国产设备研制》之"8 英寸区熔硅单晶炉 国产设备研制"课题的区熔炉在中环股份成功拉制出

8 英寸气 相掺杂单晶硅,其各项技术指标均达到国际领先水平,并且成 本可降低 20%~30%.公司

8 英寸区熔炉研制成功标志着我国 在大尺寸区熔炉领域打破国外垄断,并且具备明显的技术和成 本优势.区熔炉的国产化有助于降低区熔过程的设备投资,和 设备供货周期, 推动中环股份 CFZ 项目的实施. 另外

8 英寸区 熔硅在半导体领域非常好的应用前景,尤其是在 IGBT 大功率 器件领域.据估计,我国 IGBT 需求将进入快速增长期,公司 区熔炉市场前景可期.

2013 年6月5日分析师 黄海方 执业资格证书号码:S0600511010016 0512-62938653 [email protected] 分析师 高人元 执业资格证书号码:S0600512070007 021-33661474 [email protected] 研究助理 李果 0512-62938629 [email protected] 股价走势 市场数据 收盘价(元) 26.49 一年最低价/最高价 16.00 / 40.48 市净率 2.1 流通A股市值(百万元) 1144.0 基础数据 每股净资产(元) 12.43 资本负债率(%) 9.2 总股本(百万股) 133.35 流通 A 股(百万股) 43.19 晶盛机电

2013 年6月5日东吴证券研究所 请务必阅读正文之后的免责声明部分 1. 公告:CFZ 单晶炉和

8 寸区熔炉研制成功

2013 年6月4日,公司公告称研制的直拉区熔炉取得了重要进展. 天津环欧在我公司研制的 CFZ 法单晶炉上,使用其自有的工艺技 术,成功拉制出多颗高效太阳能用晶体;

其晶体长度达到 2450mm,直径 为143mm,平均拉晶速度达到 1.75mm/min,比传统设备拉晶速度提高了 35%,月产能较传统设备提高近 25%,晶棒成本下降 40%以上.该晶体 棒材已在区熔炉上得到应用验证. 公司该新型设备的成功研制大大降低了晶体生长综合成本, 进一步推 进了天津环欧的 CFZ 高光电转换效率的区熔硅单晶光伏电池材料生产 项目. 目前公司与天津环欧正在针对该设备进行商务谈判阶段, 预计对公司 未来业绩产生积极影响. 同日,公司公告称公司

8 寸区熔炉获得重大进展. 近日我公司和国内最大、世界第三的区熔硅单晶生产企业――天津 市环欧半导体材料技术有限公司 (以下简称"天津环欧") 联合承担并由我 公司研制的国家科技重大专项《区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研 制》 之"8 英寸区熔硅单晶炉国产设备研制"课题的区熔硅单晶炉, 在天津 环欧应用现场,结合天津环欧领先水平的晶体生长工艺技术并经其工艺 人员验证,成功拉出

8 英寸气相掺杂单晶硅.单晶棒长度约 800mm,直径202.5mm,重量约 47.7kg,单晶轴向电阻率 35~45Ω .cm,径向电阻率 不均匀度 RRV