编辑: 黑豆奇酷 | 2019-10-12 |
1 0月红外与毫米波学报J.
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9 9 I n As自组 织生长量子点的空穴 俘获势垒王海龙 朱海军 ~ 宁东陈枫封松林 V 幺王海龙朱海军宁东陈枫封松林/,L,'中国 科学 院 半导 体研究 所'半导体 超 晶格 国家 重点 实验 室京....∞047/1/摘要成功地用深能缎瞬志谱(DIIS)研究了P里 I n As 自组 生长的量子点的电学性质,测得2.5朦子 层InAs量 子点 空 穴基 态能缎 在Ga As价带底上 约0.09eV, 该量子点 在荷 电状 态 发生 的基 志睫 缎和俘 获 势垒 t 相 信对增 加 量子 点性 质 的理解 舍起 到 有益 的关t词(DLTS ) , 引言InAs/Ga As 『
5 '蛊穴倦荻目前 量子点结构及相关 器件 的研 究已受到广泛重视,InAs自组 织生长量 子点由于其在新型器件 上的应用前景以及 在低维物理和材 料生长等研究中的重要地位,是其中的 一个研究热点,多个研究小组在量子点的生长 机理、材料性质、物理研究等方面已经发表许多理论和实验的文章,取得了一 些共识. 理论分析表明由于 量子约束效应,量子点内有 一个电子能级和多个空穴能级口].通常将量子点的能谱与电子态主要由显微技术、光致发光谱(PI)和光致发光激发谱结合研究,量子点样品PL谱 中的长波 发光被归结为量子点发光+电容谱也已经作为一种对量子点样品进行研究的有力手段一.由于量子点波函数的空间局域性,其对 载流子的发射 和俘 获行为,与深中心会 有类 似之 处;
基于这 一考虑,我们利用深能 级 瞬态 谱(DL T S) 测 量量 子点发射和俘获电子或空穴的过程,并已成功地用深能级瞬态谱(DLTS ) 研究了n型 I n As / Ga As系统 中 自组 织生长量 子点超晶格的电学性质,测定了量 子点的电子能级和俘获势垒].国外也有一个用DI T S 测量单层InP量子点的激活能工作',但目前 我们尚未 看 到有 关测量P型 I n As量子点对空穴的俘 获势垒和激 活能的报导.本文采用特殊 设计 的多层P型 I n As自组 织生长量 子点 样品,用DI T S技术研究了InAs量子点的俘获势垒和激活能. 用深能级 瞬态谱研究量子点的电学 性质是对量子点光学研究的一个补充,同时 也是量子点电学 应用研究中必 不可少的部分 .
1 实验1.1样品制备 样品用VS O H M K― 1分子柬外延(MB E) 系统生长在MB E 生 长过 程中,t2+-Ga As衬底580C脱氧后,生长lttm的n一Ga As缓冲层,缓冲层 掺Sj,浓度为2*1 O c m一. 样品的生长顺序是;
在 生长缓冲层后,周期生长10nm的Ga As和 "个 单原子层(ML) 的InAs , 共生*国 家攀登计翘和国家自燕 科学基金(编号;
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J 通常将量子点鹅能谱与电子态主要出显徽技术、光致发光谱 (PLJ 和光致发光激发谱结合研究,量子点样品 PL 谱中的长夜发光被归结为量子点发光,电 容谱也已经作为一种对量子点祥品进行研究的高力手段飞,=由于量子点放函数的空间局 域性,其对载旅子的发射和俘获行为,与深中心会有类似之处.基于这 考虑.我们利用深能 级草草态谱 i -GaA 思quantum py自由 Ld lao.. eh
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