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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO.

, LTD. BM10D(文件编号: S&

CIC1292) 二合一锂电保护 IC www.superchip.cn 第1页共6页Version 1.0 概述 BM10D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案.BM10D包括了先进的功率 MOSFET,高精度的电压检测电路和延时电路. BM10D具有非常小的DFN-5L的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用. BM10D具有过充,过放,过流,短路等所有的电池所需保护功能,并且工作时功耗非常低. 该芯片不仅仅是为手机而设计,也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的 应用场合. 特点 ? 高精度电压检测电路 过充电检测电压 4.300 精度±50mV 过充电释放电压 4.100 精度±50mV 过放电检测电压 2.400 精度±100mV 过放电释放电压 3.000 精度±100mV 放电过流检测电压 150mV 精度±30mV 负载短路检测电压 1V(固定) 精度±0.3V ? 各延迟时间由内部电路设置(无需外接电容) ? 有过放自恢复功能 ? 工作电流:典型值 3uA,最大值 6.0uA(VDD=3.9V) ? 连接充电器的端子采用高耐压设计(CS 端,绝对最大额定值是 20V) ? 宽工作温度范围:-40℃~+85℃ ? 采用 DFN-5L 封装 产品应用 ?

1 节锂离子可再充电电池组 ?

1 节锂聚合物可再充电电池组 引脚示意图及说明 DFN-5L 序号 名称 引脚说明

3 2

1 5

4 3

6 1 VDD 正电源输入端,接电池芯正极

2 VSS(GND) 负电源输入端,接电池芯负极

3 CS 过电流检测输入端,充电器检测端

4 S1 MOS 管S极,接电池芯负极

5 S2(BATT-) MOS 管S极,充电负极

6 D MOS 管D极深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. BM10D(文件编号: S&

CIC1292) 二合一锂电保护 IC www.superchip.cn 第2页共6页Version 1.0 内部框图 Overcharge Current Comp Overdischarge Voltage Comp Overcharge Voltage Comp Power on Rest Oscillator Logic Contoller Overdischarge current

1 Comp Overdischarge current2 Comp Short Circuit Comp Over- temperature Protection Charge detection Switch Bandgap reference Vlitage divider VCC GND GND BATT- 绝对最大额定值 (VSS=0V,TA=25℃,除非特别说明) 项目 符号 规格 单位 VDD 和VSS 之间输入电压 VDD VSS-0.3~VSS+10 V CS 输入端电压 VCS VDD-20~VDD+0.3 V 工作温度范围 TOP -40~+85 ℃ 储存温度范围 TST -40~+125 ℃ 容许功耗 PD

250 mW 电气特性 ? 电气参数(延迟时间除外.VSS=0V,TA=25℃,除非特别说明) 项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1 -- 1.5 --

8 V VDD-CS 工作电压 VDSOP2 -- 1.5 --

20 V 耗电流 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. BM10D(文件编号: S&

CIC1292) 二合一锂电保护 IC www.superchip.cn 第3页共6页Version 1.0 工作电流 IDD VDD=3.9V -- 3.0 6.0 uA 静态电流 IOD VDD=2.0V -- -- 0.1 uA 检测电压 过充电检测电压 VCU -- 4.250 4.300 4.350 V 过充电释放电压 VCR -- 4.050 4.100 4.150 V 过放电检测电压 VDL -- 2.300 2.400 2.500 V 过放电释放电压 VDR -- 2.900 3.000 3.100 V 放电过流检测电压 VDIP VDD=3.6V

120 150

180 mV 负载短路检测电压 VSIP VDD=3.0V 0.7 1.0 1.3 V ? 延迟时间参数 项目 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 过充电检测延迟时间 TOC VDD=3.9V→4.5V

100 150

200 ms 过放电检测延迟时间 TOD VDD=3.6V→2.0V

100 140

180 ms 放电过流检测延迟时间 TDIP VDD=3.6V,CS=0.4V

5 10

15 ms 负载短路检测延迟时间 TSIP VDD=3.0V,CS=0.3V

200 300

400 us ? MOS 参数 参数 描述 测试条件 最小值 典型值 最大值 V(BR)DSS 漏-源击穿电压 VGS = 0V, ID= 250μA 19V 20V ID(DeviceRef.) 连续的漏极电流 TJ= 25°C 5A RDS(on) 单个 MOS 管漏极到源极 的导通阻抗 VGS = 4.5V, ID = 1.0A 15m?

25 m? VGS = 2.5V, ID = 0.5A 20m?

30 m? VGS(th) 栅极阈值电压 VDS=VGS, ID=250μA 0.55V -- 0.95V IDSS 漏-源极电流 VDS=19V, VGS= 0V, TJ= 25°C 1uA IGSS 栅-源极电流 VGS= ±10V 100nA IODC 过流 VDD=3.6V 2.4A 3.0A 3.6A 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. BM10D(文件编号: S&

CIC1292) 二合一锂电保护 IC www.superchip.cn 第4页共6页Version 1.0 应用电路图 VDD VSS CS S1 S2 R1 R2 C1 电芯 BATT- BATT+ 标记 器件名称 用途 最小值 典型值 最大值 说明 R1 电阻 限流、稳定 VDD、加强 ESD 100Ω 330Ω 470Ω *1 R2 电阻 限流 1KΩ 1KΩ 2KΩ *2 C1 电容 滤波,稳定 VDD 0.01uF 0.1uF 1.0uF *3

1、R1连接过大电阻,由于耗电流会在R1上产生压降,影响检测电压精度.当充电器反接时,电流从充电器流向IC, 若R1过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额定值的情况发生.

2、R2连接过大电阻,当连接高电压充电器时,有可能导致不能切断充电电流的情况发生.但为控制充电器反接时 的电流,请尽可能选取较大的阻值.

3、C1有稳定VDD电压的作用,请不要连接0.01μF以下的电容. 工作说明 ? 正常工作状态 此IC持续侦测连接在VDD和VSS之间的电池电压,以及CS与VSS之间的电压差,来控制充电和放电.当电池 电压在过放电检测电压 (VDL) 以上并在过充电检测电压 (VCU) 以下, 且CS端子电压在充电过流检测电压 (VCIP) 以上并在放电过流检测电压(VDIP)以下时,充电控制用MOSFET和放电控制用MOSFET同时导通,这个状态称 为 正常工作状态 .此状态下,充电和放电都可以自由进行. 注意:初次连接电芯时,会有不能放电的可能性,此时,短接CS端子和VSS端子,或者连接充电器,就能恢 复到正常工作状态. ? 过充电状态 正常工作状态下的电池,在充电过程中,一旦电池电压超过过充电检测电压(VCU),并且这种状态持续的时 间超过过充电检测延迟时间(TOC)以上时,BM10D会关闭充电控制用的MOSFET,停止充电,这个状态称为 过 深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. BM10D(文件编号: S&

CIC1292) 二合一锂电保护 IC www.superchip.cn 第5页共6页Version 1.0 充电状态 . 过充电状态在如下2种情况下可以释放: 不连接充电器时, (1)由于自放电使电池电压降低到过充电释放电压(VCR)以下时,过充电状态释放,恢复到正常工作状态. (2)连接负载放电,放电电流先通过充电控制用MOSFET的寄生二极管流过,此时,CS端子侦测到一个 二极 管正向导通压降(Vf) 的电压.当CS端子电压在放电过流检测电压(VDIP)以上且电池电压降低到过充电检测电 压(VCU)以下时,过充电状态释放,恢复到正常工作状态. 注意:进入过充电状态的电池,如果仍然连接着充电器,即使电池电压低于过充电释放电压(VCR),过充电 状态也不能释放.断开充电器,CS端子电压上升到充电过流检测电压(VCIP)以上时,过充电状态才能释放. ? 过放电状态 正常工作状态下的电池,在放电过程中,当电池电压降低到过放电检测........