PDF《小能量试验推算碳化硅灭磁电阻满足温度条件的方法》

现场的碳化硅灭磁电阻安 装在柜内,散热条件差.假设两种条件下灭磁后表面最高温度相同,散热条件好的,元件表面需要从内部 得到较多热量以平衡表面散热,因此其内部温度较高;

散热条件差的,元件表面需要从内部得到较少热量 就可以平衡表面散热,因此其内部温度较低. 由于没有拆成单个元件进行测试,用红外摄温仪只能得到表面温度.这个认识是分析得到的. 问题 2:内部温度高于表面温度吗?有何不良影响?需要考虑内外温度不相同的因素吗? 作者答复:制造厂提出 200℃为最高温度,160℃为最大平均温度;

超过 200℃将引起电气特性变化. 实验室进行了极限能量冲击试验,灭磁电阻表面最高温度达 167.4℃,事后检验其电气特性没有显著变化. 因此,本文提出按照表面最高温度不超过 160℃选择灭磁电阻的容量. 问题 3:均温系数不为

1 又是如何考虑的?是否通过现场实测,找出最高温度硅片进行推算,如其满 足则全部满足,如其不满足则更换. 作者答复:表面平均温升(与能量成正比)除以表面最大温升,称均温系数.从试验拍摄到的温度分 布图可以看到表面温度分布很不均匀,说明表面均温系数小于 1,推导内部均温系数也小于 1. 通过现场实测,找出碳化硅片的最高温度点的温升,推算最严重灭磁情况下温升是否小于 160℃,如 其满足则可;

如不满足可以采用:①增加灭磁电阻并联组件数目,降低组件(片)在最严重灭磁情况下的 耗散能量,降低表面最大温升,使其小于 160℃.②减低环境温度. 问题 4:温度上升率有无考虑的必要性? 作者答复:温度上升率由冲击能量曲线和环境温度决定.看到供货方的一个试验报告,进行了 0.1s 6000A 1000V 600kJ 试验,灭磁电阻没有损坏.实际不可能在如此短暂时间里输入这么大的能量.因此, 没有必要考虑温度上升率. ........