PDF《第5章 单片机系统扩展及接口技术》

11 位地址线;

IO0~IO7 为8位数据线;

_____ CE为片选信号线;

_____ OE、 _____ WE为读、写信号线.表5.1 为6116 的工作方式. A0

8 A1

7 A2

6 A3

5 A4

4 A5

3 A6

2 A7

1 A8

23 A9

22 A10

19 CE

18 OE

20 WE

21 IO0

9 IO1

10 IO2

11 IO3

13 IO4

14 IO5

15 IO6

16 IO7

17 VCC

24 GND

12 A0

8 A1

7 A2

6 A3

5 A4

4 A5

3 A6

2 A7

1 A8

23 A9

22 A10

19 CE

18 OE

20 WE

21 IO0

9 IO1

10 IO2

11 IO3

13 IO4

14 IO5

15 IO6

16 IO7

17 (a) (b) 图5.4

6116 管脚和逻辑符号图 表5.1

6116 工作方式 管脚 工作方式 _____ CE _____ OE _____ WE IO0~IO7 写VIL VIH VIL DIN 读VIL VIL VIH DOUT 未选中 VIH 任意 任意 高阻写VIL VIL VIL DIN 2. 静态随机存储器芯片

6264 6264 是8Kx

8 位的静态随机存储器芯片,它也是采用 CMOS 工艺制作,由单一+5V 式供电,额 定功耗 200mW,典型存取时间为 200ns.为28 线双列直插式封装,其管脚与逻辑符号如图 5.5(a)、 (b)所示.与6116 相比,地址线增加两根, .为A0~A12,有两个片选端( _____ CE

1、 _______ CE2),表5.2 为6264 的工作方式.

5 图5.5 为6264 的管脚和逻辑符号图. A0

10 A1

9 A2

8 A3

7 A4

6 A5

5 A6

4 A7

3 A8

25 A9

24 A10

21 A11

23 A12

2 CE1

20 CE2

26 WE

27 OE

22 IO0

11 IO1

12 IO2

13 IO3

15 IO4

16 IO5

17 IO6

18 IO7

19 A0

10 A1

9 A2

8 A3

7 A4

6 A5

5 A6

4 A7

3 A8

25 A9

24 A10

21 A11

23 A12

2 CE1

20 CE2

26 WE

27 OE

22 IO0

11 IO1

12 IO2

13 IO3

15 IO4

16 IO5

17 IO6

18 IO7

19 VCC

28 GND

14 NC

1 (a) (b) 图5.5

6264 管脚和逻辑符号图 (2) 只读存储器(ROM) 只读存储器(Read Only Memory)简称 ROM, ROM 一般用来存储程序.和固定的数据,比如计算 机的系统程序、一些固定表格等.与RAM 不同,当电源消失时,ROM 仍能保持内容不变.在读取 该地址内容这点上,ROM 类似于 RAM.但ROM 并不能修改其内容. 只读存储器有掩膜 ROM、PROM、EPROM 和E2 PROM 等. 表5.2

6264 工作方式 管脚 工作方式 _____ CE1 _______ CE2 _____ OE _____ WE IO0~IO7 未选中(掉电) VIH 任意 任意 任意 高阻未选中(掉电) 任意 VIL 任意 任意 高阻输出禁止 VIL VIH VIH VIH 高阻读VIL VIH VIL VIH DOUT 写VIL VIH VIH VIL DIN 写VIL VIH VIH VIL DIN 1. 掩膜 ROM 这种 ROM 基本存储电路的

0 或1两种状态是在制造电路时由生产厂根据用户提出的要求,通 过掩膜技术制作或不制作晶体管栅极采实现的.一旦制作完毕,存储内容就不可修改,大批量生产 时成本很低.掩膜 ROM 只适用于成熟的产品中. 2. PROM PROM 是一种由用户编程且只能编程一次的 ROM. 每个基本存储电路都是一个带熔丝的三极管 或二极管,编程后丝断为

1 ,末断者为

0 .出厂时 PROM 为熔丝末断.使用时用户用专用编程 器进行对其编程,对需写

1 的单元,通过大电流以熔断其熔丝.丝断后无法复原,因此只能写入一 次.PROM 属于早期的 ROM 产品,目前已基本淘汰. 3. EPROM EPROM 是一种可多次写入的 ROM.其特点是写入的信息可以长期保存,当不需要这些信息或 欲进行修改时,可进行擦除和重写.EPROM 芯片上开有一石英窗口,当芯片置于紫外线下照射时, 高能光子与被禁锢在 EPROM 悬浮栅中的电子相碰撞,使其获得较高的能量,逐渐透过结缘层消失, 于是,以电荷形式存储的信息即被擦除,EPROM 在开发样机方面非常有用,因为在研制过程中多数