PDF《！＂的高温特性分析 ！》

CD 随#= 变化则与之相 反 这与

0 ! 节中讨论的# $ABB 和#'

CD 随温度的变化 有关, 即: 在衬底掺杂浓度 #= 较低时, 由于温度的 升高使得 # $ABB %#'

CD 随#= 增加而增加%降低;

当#= 增加超过 !$!. )*'

0 以后, 体晶格散射加强, 导致迁移 率下降, 阈值电压升高, 从而 # $ABB 减小、 #'

CD 增加 综合考虑 #= 对$ABB 和'

CD 的影响, 可知 #= 取!$!. )*'

0 左右时, 迁移率相对增加量最大, 而阈值电压 变化最小, 从而可获得优良的器件电特性 图+高温下 掺杂浓度对器件电学性能的影响 ! ! 栅氧化层厚度 &

'

在相同栅压下, 栅氧化层越厚, 栅电容越小 栅 电容的大小决定着栅电压对表面势的控制能力 图-模拟了 时# $ABB 和#'

CD 随(?@ 的变化关系 模拟结果显示, 随着 (?@的增加, #'

CD 增加, 而# $ABB 无!#G#.期徐静平等: +23456 73894:;

<

的高温特性分析 明显变化!因此, 可根据阈值电压的设计要求, 结合 工艺水平来确定合适的栅氧化层厚度! 一般在工艺 水平许可情况下, 尽量减薄栅氧化层厚度, 有利于阈 值电 压降低, 电流驱动能力的提高! 目前, #$ 图%高温下 氧化层厚度对器件电学性能的影响 *+ ,-. 的栅氧化层厚度一般在 /(―0(

12 范围!

03 总结045 #$ 15*+ ,-. 的高温电特性主要决定于迁 移率和阈值电压随温度的变化! 其中影响迁移率温 度特性的主要因素包括界面态、 光学声子、 离化杂 质、 表面粗糙度、 表面声子和横向高场等散射机制;

而影响阈值电压温度特性的主要因素是费米势和界 面态电荷!高温电特性的模拟结果与实验结果进行 了比较, 两者符合较好! 在此基础上, 研究了主要结 构参数和工艺参数对高温下迁移率和阈值电压的影 响, 结果表明: 对于一定的器件结构参数和工艺参 数, 当衬底掺杂浓度为 /(/'

627 8 , 栅氧化层厚度为 /(―0( 12, 工作温度在'

(( ) 左右时,

045 #$

15 *+ ,-. 有较好的电学性能! [/] 9#1:;

#<

4, =#2#>

?#@:A B1C )DB1 E $ F((8 G ! 0(% [F] )D2B? H,)BDI........