PDF《海飞乐技术有限公司——IGBT驱动事业部》

40 VISO1 通道1电源正

39 E1 通道1E极38 E1 通道1E极37 Rth1 通道保护门限设置

36 C1 通道1C极检测端

35 NC 通道1高压侧故障输出

34 NC

33 NC

32 G2 通道2门极输出

31 G2 通道2门极输出

30 COM2 通道2公共端

29 COM2 通道2公共端

28 VISO1 通道2电源正

27 E2 通道2E极26 E2 通道2E极25 Rth2 通道2保护门限设置

24 C2 通道2C极检测端

23 NC 3.应用举例 下图是 2FC315 的运用参考电路.从应用电路可以看出, HIGHSEMI 系列大功率 IGBT 智能驱动模块需要更少的外围器件,驱 动电路简单,集成度高.

6 2FC315 典型应用电路(直接模式) 2FC315 典型应用电路(半桥模式)

7 4.HIGHSEMI 系列大功率 IGBT 智能驱动模块概述 * 工作更可靠 (门极采用双极性电源+15V/-15V, 适合于任何厂 家的 IGBT.门极采用负极性电压,提高了接口的抗扰能力, 另外可同时驱动多只并联的 IGBT. ) * 真正的电气隔离. (驱动器的每个通道都用采用了变压器隔离技 术,因此绝缘特性好. ) 5. 工作原理: 5.1 结构: 2FC315 大功率 IGBT 智能驱动模块主要由内部 DC/DC 变换电路, IGBT 智能驱动电路(由逻辑处理电路和功率驱动及检测电路构成)构成,其电路结构如下图所示: 2FC315 结构示意图

8 图中 LDI 为逻辑信号处理电路,IGBD 为智能门驱动器及功率扩 展电路.LDI 和IGD 间采用脉冲脉冲变压器实现信号的传输. IGD 智能门驱动器电路 对应于每个驱动通道,都有一个 IGD 智能门驱动器电路,内部集 成所有智能驱动、过载和短路保护,封锁信号时间逻辑,状态识别, 电源及输出级的监测等功能电路. 集成 DC/DC 电源 所有标准的 HIGHSEMI 系列大功率 IGBT 智能驱动模块都包 括一个 DC/DC 转换器,为各个驱动通道提供工作电压.因此驱动器 只需要一个稳定的 15V 直流电压.根据不同的应用,特别是驱动频率 和功率管的门极电荷,HIGHSEMI 提供有不同的驱动功率.2FC315 内部 DC/DC 的驱动功率为 2*3W. 5.2 保护特性: HIGHSEMI 智能驱动器的每个通道都有 VCE 监测电路. 一旦检测 出输出欠压或是 VCE 超过设定的门限电压 (通过 Rthx 设定) , 模块立 即产生关断信号,关闭功率管,不再接收驱动信号, "故障"信息反馈 给LDI, SOX 输出低电平.故障保护期间,驱动器不再接受任何驱 动信号,直到"封锁"时间(400ms)后重新启动. 5.3.工作方式 2FC315 驱动模块有两种工作模式,即直接工式和半桥模式. 当引脚 MOD 接高电平时,模块处于直接工作模式.此时两个通 道的输出由 INA 引脚和 INB 引脚控制(高电平有效) .当模块处于直

9 接工作模式时如果需要设置死区时间,可通过 RC1 引脚和 RC2 引脚 对GND 引脚间连接电容设置.如果不需要死区时间,可将 RC1 引脚 和RC2 引脚悬空 (为避免引入干扰, 可将 RC1 引脚和 RC2 引脚对 GND 引脚接容量约 100pF 的此片电容) . 当引脚 MOD 接低电平时,模块处于半桥工作模式.此时 INB 引 脚接至 GND,两个通道的输出由 INA 引脚控制,模块内部产生互差

180 度角的两路驱动信号. 死区时间通过 RC1 引脚和 RC2 引脚对 GND 引脚间连接电容设置. 5.4 管脚说明 5.4.1 低压侧管脚: 脚GND:电源地 如果有多个地,则都接地. 脚VDC:内部 DC/DC 的+15V 电源 建议在 VDC 和地间接滤波电容. 脚VDD:控制接口(LDI)的+15V 电源. 脚VL:逻辑电平选择引脚. VL 引脚接 VDD 时, 输入信号的逻辑电平为 COMS 电平 (0-15V) .