PDF《H 桥驱动电路 MX113L》

MX113L 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.

0 2017-09-29 www.mixic.com.cn 深办:深圳市南山区艺园路

125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402

电话:0755-26099570 传真:0755-26895685

1 H 桥驱动电路 MX113L 特性 ? 低待机电流 (小于 0.1uA) ? 低导通内阻 MOSFET 功率开关管 ― 采用 MOS 工艺设计功率管 ―

800 毫安通道功率管内阻 0.43 欧姆 ―

200 毫安通道功率管内阻 0.36 欧姆 ? 内部集成续流二极管 ― 无需外接续流二极管 ? 超小型封装尺寸 ― 采用 SOT23-6 封装 ― 含引脚外形尺寸 2.92mm*2.8mm ? 较小的输入电流 ― 集成约 7K 对地下拉电阻 ― 3V 驱动信号平均 420uA 输入电流 ? 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD) ? 抗静电等级:3KV (HBM) 应用范围 ? IR-CUT 驱动 ? 电动玩具 ? 步进电机驱动 概述 该产品采用 H 桥电路结构设计,采用高可靠性 功率管工艺, 特别适合驱动线圈、 马达等感性负载. 电路内部集成 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET,工作 电压范围覆盖 2V 到8V.27℃,VCC=5V 条件下最大 持续输出电流达到1A, 最大峰值输出电流达到1.5A. 该单路为功率器件,本身具备一定内阻,电路 的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度 密切相关.电路设计有芯片级温度检测电路,实时 监控芯片内部发热,当芯片内部温度超过设定值时 (典型值 150℃),产生功率管关断信号,关闭负载电 流,避免因异常使用导致的温度持续升高,进而造 成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故.芯片内置 的温度迟滞电路,确保电路恢复到安全温度后,才 允许重新对功率管进行控制. 典型应用图 电路典型应用图 SinotechMixic Electronics Co.,LTD MX113L 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.0 2017-09-29 www.mixic.com.cn 深办:深圳市南山区艺园路

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2 引脚排列 引脚定义 引脚编号 引脚名称 输入/输出 引脚功能描述

1 OUT2 O 反转驱动输出脚

2 GND - 接地端

3 OUT1 O 正转驱动输出脚

4 VCC - 接电源端

5 IN1 I 正转控制信号输入端

6 IN2 I 反转控制信号输入端 功能框图 逻辑真值表 IN1 IN2 OUT1 OUT2 功能 L L Z Z 待机(停止) H L H L 正转 L H L H 反转 H H L L 刹车 SinotechMixic Electronics Co.,LTD MX113L 重庆中科芯亿达电子有限公司 Rev1.0 2017-09-29 www.mixic.com.cn 深办:深圳市南山区艺园路

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3 典型波形示意图 绝对最大额定值(TA=25℃) 参数 符号 值 单位 最大功率电源电压 VCC(MAX) 8.5 V 最大外加输入电压 VIN(MAX)

7 最大峰值输出电流 IOUT(PEAK) 1.5 A 最大功耗 PD 0.6 W 结到环境热阻 SOT23-6 封装 θJAS

220 ℃/W 工作温度范围 Topr -40~+85 ℃ 结温 TJ

150 ℃ 储存温度 Tstg -55~+150 ℃ 焊接温度 TLED 260℃,10 秒ESD(注3)

3000 V 注:(1)、不同环境温度下的最大功耗计算公式为: PD=(150℃-TA)/θJA TA 表示电路工作的环境温度,θJA 为封装的热阻.150℃表示电路的最高工作结温. (2)、电路功耗的计算方法:P =I2*R 其中 P 为电路功耗,I 为持续输出电流,R 为电路的导通内阻.电路功耗 P 必须小于最大功耗 PD. (3)、人体模型,100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电. 推荐工作条件(TA=25℃) 参数 符号 最小值 典型值(VCC=5V) 最大值 单位 功率电源电压 VCC

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8 V 输入电压 VIN