编辑: 赵志强 | 2019-07-02 |
6 的相图中. 可以看出, 相变温度随着 Ga 的增加迅速 下降;
而母相 TC 则随掺杂量增加而缓慢上升, 在本 工作的成分范围中从大约
200 K 提高到
310 K. 在 具有马氏体相变的成分范围内, 母相 TC 的升高仅 为50 K, 根据以往研究结果 [12], 可以认为 居里温 度窗口 在相变范围内是打开的, 并未因 Ga 的掺入 而关闭. 如果能够采用其他的方法将马氏体相的反 铁磁结构转变为铁磁性, 则居里温度窗口效应有可 能在 x <
0.05 成分的掺杂合金中出现, 即在温度窗 口中发生的马氏体相变伴随着磁结构的转变, 而那 里磁场诱发马氏体相变的效果会优于图
5 的水平. 这个合金系列的马氏体相变温度在成分调节过程 中穿过了马氏体磁有序温度 TN 和母相的磁有序温 度TC, 成为研究马氏体相变和结构 - 磁性耦合的合 适体系. 此外可以........