PDF《ZnSb 掺杂的 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的相变性能研究》

ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5 薄膜的相变性能研究 田曼曼 王国祥 沈祥 陈益敏 徐铁峰 戴世勋 聂秋华 Phase change properties of ZnSb-doped Ge2Sb2Te5 films Tian Man-Man Wang Guo-Xiang Shen Xiang Chen Yi-Min Xu Tie-Feng Dai Shi-Xun Nie Qiu-Hua 引用信息 Citation: Acta Physica Sinica, 64,

176802 (2015) DOI: 10.

7498/aps.64.176802 在线阅读View online: http://dx.doi.org/10.7498/aps.64.176802 当期内容View table of contents: http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2015/V64/I17 您可能感兴趣的其他文章 Articles you may be interested in 线性微波化学气相沉积制备SiNx 薄膜的微结构及光学性能研究 The microstructure and optical properties of SiNx deposited by linear microwave chemical vapor deposition 物理学报.2015, 64(6):

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036801 http://dx.doi.org/10.7498/aps.62.036801 物理学报Acta Phys. Sin. Vol. 64, No.

17 (2015)

176802 ZnSb掺杂的Ge2Sb2Te5薄膜的相变性能研究? 田曼曼1)2) 王国祥2) 沈祥2)? 陈益敏1)2) 徐铁峰2) 戴世勋1) 聂秋华2) 1)(宁波大学高等技术研究院, 宁波 315211) 2)(宁波大学信息科学与工程学院, 宁波 315211) (

2014 年12 月30 日收到;

2015 年4月29 日收到修改稿 ) 本文采用双靶 (ZnSb 靶和 Ge2Sb2Te5 靶) 共溅射制备了系列 ZnSb 掺杂的 Ge2Sb2Te5(GST) 薄膜. 利用 X 射线衍射、 透射电子显微镜、 原位等温/变温电阻测量、 X 射线光电子能谱等测试研究了薄膜样品的非晶形 态、 电学及原子成键特性. 利用等温原位电阻测试表明 ZnSb 掺杂的 Ge2Sb2Te5 薄膜具有更高的结晶温度. 采用Arrhenius 公式计算发现 ZnSb 掺杂的 Ge2Sb2Te5 薄膜的十年数据保持温度均高于传统的 Ge2Sb2Te5 薄膜 的88.9 ? C. 薄膜在 200, 250,

300 和350 ? C 下退火后的 X 射线衍射图谱表明 ZnSb 的掺杂抑制了 Ge2Sb2Te5 薄膜从 fcc 态到 hex 态的转变. 通过对薄膜的光电子能谱和透射电镜分析可知 Zn, Sb, Te 原子之间键进行重 组, 形成 Zn―Sb 和Zn―Te 键, 且构成非晶物质存在于晶体周围. 采用相变静态检测仪测试样品的相变行为 发现 ZnSb 掺杂的 Ge2Sb2Te5 薄膜具有更快的结晶速度. 特别是 (ZnSb)24.3(Ge2Sb2Te5)75.7 薄膜, 其结晶温 度达到

250 ? C, 十年数据保持温度达到 130.1 ? C, 并且在

70 mW 激光脉冲功率下晶化时间仅 ?64 ns, 远快于 传统 Ge2Sb2Te5 薄膜的晶化时间 ?280 ns. 以上结果表明 (ZnSb)24.3(Ge2Sb2Te5)75.7 薄膜是一种热稳定性好 且结晶速度快的相变存储材料. 关键词: 相变材料, 热稳定性, 结晶速度, 激光诱导 PACS: 68.35.bd, 72.15.Eb, 78.66.Cw DOI: 10.7498/aps.64.176802