PDF《扬州中芯晶来半导体制造有限公司》

扬州中芯晶来半导体制造有限公司 YANGZHOU GENESIS-JINGLAI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE Co.

,LTD 2.5″KP1250 功率晶闸管

600 V-2600 V,

1250 A 用途 KT60 用于相位控制的大功率晶闸管 特点 全扩散结构、中心放大门极结构、阻断电压至2600 V、 高容量 dV/dt、全压接式 电特性和额定值 断态特性 产品外形尺寸 阻断电压 VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)

600 600

600 700

800 800

800 900

1200 1200

1200 1325

1400 1400

1400 1525

1600 1600

1600 1800

2000 2000

2000 2200

2600 2600

2600 2800 VRRM = 反向重复峰值电压 VDRM = 正向重复峰值电压 VRSM = 反向不重复峰值电压 (2) 反向和正向重复峰值电流 IRRM / IDRM

15 mA

150 mA (3) 电压上升率额定值 dV/dt (4)

300 V/?s 通态特性 参数符号 最小值 最大值 典型值 单位 条件通态平均电流 IT(AV)

1250 A 正弦半波导通角,Tc=65℃ 通态电流方均根值 ITRMS

1960 A 不重复浪涌电流 ITSM 2.0*103 1.9*103 A A 8.3 ms, 正弦半波导通角,Tj =125℃

10 ms, 正弦半波导通角, Tj =125℃ I2t值I2t 2.0*106 A2s 8.3 ms 或10 ms 擎住电流 IL

200 mA VD =24 V;

RL=12 ? 维持电流 IH

200 mA VD =24 V;

I =2.5 A 峰值通态压降 VTM 2.0 1.4 V ITM =3.0*103 A;

占空比 ≤0.01% 电流上升率 (5),( 6) di/dt

300 A/?s 不重复 电流上升率(6) di/dt

150 A/?s 注: (1)

50 Hz/

60 Hz 正弦波,温度范围 -40℃.~ +125 ℃. (2)

10 ms脉宽 (3)Tj =125 ℃. (4) 67%额定电压VDRM,门极开路Tj =125 ℃. (5) 不重复值 (6)此电流上升率根据EIA/NIMA标准RS-397定义及条件.

6 φ62.8 26±2 1.3min 2-φ3.5*1.9 4.75 φ

8 62. φ89.0

20 o ±5 o φ99.0 56.5 门极 参数符号 最小值 最大值. 典型值 单位 条件峰值门极耗散功率 PGM

200 W tp =40 ?s 平均门极耗散功率 PG(AV)

5 W

300 mA VD =6 V;

RL =3 ?;

Tj = -40 ℃

150 mA VD =6 V;

RL =3 ?;

Tj = +25 ℃ 门极触发电流 IGT

125 mA VD =6 V;

RL =3 ?;

Tj = +125℃

5 V VD =6 V;

RL =3 ?;

Tj = -40 ℃

3 V VD =6 V;

RL =3 ?;

Tj = 0℃-125℃ 门极触发电压 VGT 0.3 V VD =VDRM;

RL =1 k?;

Tj =+125 ℃ 门极反向峰值电压 VRGM

5 V 开关时间 参数 符号 最小值 最大值 典型值 单位 条件 延迟时间 td 1.5 0.7 ?s ITM =50 A;

VD =电压额定值 门极脉冲: VG =20 V;

RG =20 ?;

tr =0.1 ?s;

tp =20 ?s 关断时间 (with VR = -50 V) tq

250 125 ?s ITM > 1.0*103 A;

di/dt =25 A/?s;

VR ≥ -50 V;

重复重加电压 dV/dt =30 V/?s ;

VD=2/3VDRM;

tP=1 s;

Tj =125 ℃;

反向恢复电荷 Qrr ?C ITM =1.0*103 A;

di/dt =25 A/?s;

VR ≥ -50V tp=400?s 热特性和机械特性 参数符号 最小值 最大值 典型值 单位 条件 结温 Tj -40 +125 ℃ 贮存温度 Tstg -40 +140 ℃ 结壳热阻 Rth (j-c) 0.018 ℃/W 双边散热 壳散热阻 Rth (c-s) 5.0*10-3 0.01 ℃/W 双边散热 单边散热 安装压力 F 7.0*103

31 lb. kN 重量 W

796 .g. * 安装表面光滑、平整、无油