4 中所示,用MOSFET 把总线 直接拉 10? s(最多)内切换到强上拉,并且总线在写 EEPROM 的过程中必须被强上拉高.当上拉被启动,单总线上不可以发 生其他活动. NS18B20 也可以用传统模式通过外部电源供电到 VDD 引脚,如图
5 所示.这种模式的优点是不需要 MOSFET 上拉,而 且单总线在温度转换过程中可以任意进行其他操作.在温度大于+100° C 时,也可工作在寄生........