DOC《光刻》

光刻 光刻基本知识 光刻工艺的定义 判断题 1.

光刻工艺是一种光复制图像和材料刻蚀相结合的微电子基片表面微细加工技术.() 2.光刻工艺仅仅是一种材料刻蚀的微电子基片表面微细加工技术.() 3.超大规模集成电路需要光刻工艺具备高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、大尺寸、低缺陷这几方面的要求.() 单选题 在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是( (A) 刻蚀 (B)氧化(C) 淀积 (D)光刻 多选题 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有( (A)高分辨率(B)高灵敏度(C)精密的套刻对准(D)大尺寸(E)低缺陷 光刻工艺流程 判断题 光刻的主要工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶.() 光刻工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、显影、烘烤、坚膜、刻蚀、去胶.() 单选题 光刻的主要工艺流程按照操作顺序是( (A)涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶 (B)涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶 (C) 涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶 (D)前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶 常用光刻技术 判断题 光刻工艺所需要的三要素为:光刻胶、掩模版和光刻机.( ) 光刻工艺所需要的三要素为:光刻胶、掩模版和光刻机;

随着曝光技术的进步,可以不用掩模在晶片上就能够生成特征尺寸在亚微米范围内的图案.( ) 光刻胶的种类 判断题 光刻胶通常可分为正胶和负胶两类.() 光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,不论正胶还是负胶,它们所形成的图形结构是相同的.() 光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,它们所形成的图形结构是互补的.() 通常,光刻胶对湿法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力.() 单选题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶(). (A) ARC (B) HMDS (C)正胶 (D)负胶 光刻胶的成分 判断题 光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的.() 光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的;

其中树脂是粘合剂,感光剂是一种光活性极强的化合物,两者同时溶解在溶剂中,以液态的形式保存以便于使用.() 光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的;

其中树脂是粘合剂,感光剂是一种光活性极强的化合物,两者同时溶解在溶剂中,以固态的形式保存以便于使用.() 常用的正胶是由酚醛树脂、DQ感光剂和二甲苯溶剂三种成分组成的.( ) 在g线和i线光刻中使用的正胶通常是由DQ感光剂和酚醛树脂构成的.( ) 多选题 光刻胶主要由()等不同材料混合而成的. (A)树脂(B)感光剂(C)HMDS(D)溶剂 (E)PMMA 正胶和负胶的特点 多选题 关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正确的是( ). (A)负胶的感光区域溶解(B)正胶的感光区域溶解(C)负胶的感光区域不溶解(D)正胶的感光区域不溶解(E)负胶的非感光区域溶解 关于正胶和负胶的特点,下列说法正确的是(). (A)正胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率高于负胶(B)正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解(C)负胶在显影时不会发生膨胀,因此分辨率不会降低(D)正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解(E)负胶在显影时会发生膨胀,导致了分辨率的降低 判断题 正胶的感光区域在显影时溶解,负胶的感光区域在显影时不溶解.() 正胶的感光区域在显影时不溶解,负胶的感光区域在显影时溶解.() 负胶的感光区域在显影时可以溶解掉,而没有感光的区域在显影时不溶解.() 负胶的感光区域在显影时不溶解,而没有感光的区域在显影时可以溶解.() 正胶的感光区域在显影时不溶解,而没有感光的区域在显影时溶解.() 正胶的感光区域在显影时可以溶解掉,而没有感光的区域在显影时不溶解.() 光刻工艺流程 涂胶工艺 判断题 涂胶要保证晶片干燥、粘附性好就需要对晶片进行脱水烘焙,还要在晶片表面涂上增粘剂.() 涂胶工艺是在硅片表面形成厚度均匀、附着性强并且没有缺陷的光刻胶薄膜.() 单选题 目前在实际生产应用中,HMDS的涂布都是以(D)的方式进行的. (A)旋转涂盖法(B)喷洒法(C)溅射法(D)气相涂底法 多选题 涂胶之前,要保证晶片的质量以及涂胶工序的顺利进行,下列操作正确的是(). (A)进行去水烘烤以保证晶片干燥(B)在晶片表面涂上增粘剂以保证晶片黏附性好(C)刚刚处理好的晶片应立即涂胶(D) 贮存的晶片在涂胶前必须再次清洗及干燥(E) 也可以直接使用贮存的晶片 前烘 单选题 涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为(C). (A)后烘(B)去水烘烤(C)软烤(D)烘烤 判断题 软烘可以使光刻胶在后续工艺中易于除去.() 前烘减少了光刻胶在涂胶中形成的薄膜应力,提高了光刻胶的粘附力.() 软烘的温度太低使会导致胶膜中的溶剂没有完全挥发,阻碍曝光时抗蚀剂分子的交联,减弱胶的抗蚀能力.() 曝光 判断题 曝光就是使受光照射的光刻胶膜发生化学反应,即感光.() 步进曝光机尽管分辨率很高,但是因为要重复曝光所以会影响到实际的生产效率.() 多选题 下列有关曝光的描述正确的是(A C E). (A)曝光的目的是确定图案的精确形状和尺寸 (B)步进曝光机一次就可以完成曝光(C)曝光需要多次才能完成光刻图案的准确套制(D)曝光仅一次就可以确定图案的精确度 (E) 步进曝光机的分辨率很高 按曝光的光源分类,曝光可以分为(). (A)光学曝光 (B)离子束曝光 (C) 接近式曝光 (D) 电子束曝光(E)投影式曝光 下列有关曝光系统的说法正确的是(). (A)投影式同接触式相比,掩模版的利用率比较高 (B)接触式的分辨率优于接近式(C)接近式的分辨率受到衍射的影响 (D) 投影式曝光系统中不会产生衍射现象(E) 投影式曝光是目前采用的主要曝光系统 后烘 判断题 曝光之后的烘烤可以使光刻胶结构重新排列,以减轻驻波的影响.() 位于光刻胶底部的ARC降低了驻波效应,同时增加了工艺的复杂性,需要独立的工序来去除ARC.() 位于光刻胶底部的ARC通过吸收光线和改变光的相移来降低驻波效应的.() 单选题 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是(). (A)烘烤的目的是除去光刻胶中的水分 (B)烘烤可以减轻曝光中的驻波效应(C)烘烤的温度一般在300℃左右 (D) 烘烤的时间越长越好 多选题 下列有关ARC工艺的说法正确的是(). (A) ARC可以是硅的氮化物(B)可用干法刻蚀除去 (C)ARC膜可以通过PVD (D)ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层(E)ARC膜也可以通过CVD的方法形成 显影 判断题 通过溶解部分光刻胶的方法将胶膜中的潜影显现出来的过程叫做显影.() 在显影过程中,正胶的非曝光区和负胶的曝光区不会在显影液中溶解掉.() 经过曝光的正胶是在显影液中逐层溶解的.() 单选题 下列哪些因素不会影响到显影效果的是(). (A)显影液的温度(B)显影液的浓度 (C)显影液的溶解度 (D)显影液的化学成分 多选题 有关光刻胶的显影下列说法错误的是(). (A)负胶受显影液的影响比较小 (B)正胶受显影液的影响比较小(C)正胶的曝光区将会膨胀变形 (D)使用负胶可以得到更高的分辨率 (E)负胶的曝光区将会膨胀变形 坚膜 判断题 光刻胶在显影后必须经过一次烘烤,进一步将胶内残留的溶剂含量降到最低,增强光刻胶对晶片表面的附着力,这一步骤即为坚膜.() 光刻工艺流程中,去水烘烤、软烤、坚膜的目的都是为了增强光刻胶对晶片表面的附着力.() 必须适当控制坚膜的温度,否则温度太高也会使光刻胶的附着力降低.() 多选题 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有( (A) 除去光刻胶中剩余的溶剂(B)增强光刻胶对晶片表面的附着力 (C)提高光刻胶的抗刻蚀能力(D)有利于以后的去胶工序(E)减少光刻胶的缺陷 腐蚀 判断题 在光刻工艺中经过曝光和显影后,要实现光刻胶层中的微图形结构转移到位于光刻胶下方的材料上,必须通过刻蚀.() 氢氟酸腐蚀液腐蚀常用的温度是30-40摄氏度,通常为30度.() 腐蚀疏松的材质比腐蚀结构紧密的材质腐蚀速度快.() 当腐蚀液的腐蚀速率和光刻胶的厚度知道后,就可以估算出所需腐蚀时间.() 腐蚀时,如果腐蚀液渗透入光刻胶膜的边缘,致使图形边缘局部被腐蚀,腐蚀严重时,图形边缘出现锯齿状或绣花似的破坏,称为钻蚀.() 刻蚀 干法刻蚀与湿法刻蚀概念 单选题 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被()覆盖及保护的部分,以化学作用或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的. (A)二氧化硅 (B)氮化硅 (C)光刻胶 (D)去离子水 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的,所以其()就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差. (A)刻蚀速率 (B)选择性 (C)各向同性 (D)各向异性 电离气体与普通气体的不同之处在于:后者是由电中性的分子或原子组成的,前者则是()和中性粒子组成的集合体 . (A)离子 (B)原子团 (C)电子 (D)带电粒子 判断题 刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜(厚度约在数千到数百A之间)中没有被光刻胶覆盖及保护的部分,以化学反应或是物理作用的方式加以去除,以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的.........