DOC《常熟聚兴微电子有限公司》

常熟聚兴微电子有限公司 FJ3.

5 硅NPN大功率晶体管芯片 http:∥www.jxwdz.com 用途: *电源调整管 *音频功率放大器 *其他电子电路 芯片示意图 芯片结构 芯片尺寸 3500μm*3500μm 压焊区尺寸 基区:580μm*880μm 发射区:600μm*1150μm 芯片厚度 250±10μm 金属层 正面:Al≥3μm 背面:Ti/Ni/Ag≥3.5μm 极限参数 项目符号极限值单位集电极―发射极电压 BVCEO

100 V 集电极―基极电压 BVCBO

150 V 发射极―基极电压 BVEBO

7 V 集电极电流 IC

10 A 基极电流 IB 1.5 A 集电极耗散功率 PC

100 W 结温 Tjm

150 ℃ 贮存温度 Tstg -55~+150 ℃ 电特性(Ta=25℃) 项目符号测试条件 参数值单位 集电极―基极反向电流 ICBO VCB=0.8BVCBO,IE=0 ≤100 μA 发射极―基极反向电流 IEBO VEB=7V,IC=0 ≤100 μA 直流电流增益 hFE VCE=5V,IC=1A 80~200 集电极―发射极饱和电压 VCE(sat) IC=5A,IB=0.5A 1.5 V 基极―发射极饱和电压 VB(sat) IC=5A,IB=0.5A 1.5 V