DOC《江苏省工业和信息化厅文件》

1、纯度:≥11N;

2、施主杂质浓度:≤90ppta;

3、杂质浓度:≤10ppta;

4、浓度:≤80ppba;

5、氧浓度:≤80ppba;

6、基体金属杂质浓度:总金属杂质含≤0.1ppbw;

7、表面金属杂质浓度:总杂质含≤0.1ppbw.

(六)32位通用MCU芯片 揭榜任务:对标国际先进水平,研制32位通用MCU芯片,研发自主核心处理器及其软件系统,建立独立知识产权,满足32-位核心处理器中高端市场需求. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:

1、全自主核心微处理器IP,RISC-V 嵌入式CPU主频 800Mhz@65nm,1.2DMIPS,2.5CoreMark/Mhz.

2、围绕MCU的片上存储系统、总线架构、模拟前端IP系列、通讯IP模块、控制专用IP模块、软件开发环境、应用库函数等、物联网操作系统.

(七)超薄芯片(ultra-thin fBGA)封装技术 揭榜任务:对标国际先进水平,突破国内外超薄芯片(ultra-thin fBGA)专利和先进封装技术瓶颈,掌握超薄芯片(ultra-thin fBGA)产品的设计、材料研发、封装、测试、可靠性等关键技术,建立起比较完备的超薄芯片(ultra-thin fBGA)产品研发、制造、测试以及可靠性体系. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:

1、Mold cap: 0.20mm;

2、Die thickness: 0.05mm;

3、Wire loop: 0.05mm;

4、Substrate thickness: 0.1mm以下;

5、Package thickness:0.4mm以下;

6、Relia........