DOC《提名国家技术发明奖项目公示》

2、查新结论: 由中国科学院文献情报中心出具的《科技查新报告》指出查新项目提出以下5个方面的技术查新点,查新结论是国内外公开文献中,除该查新项目方及合作单位相关文献外,均未见其它相同报道或技术指标超过的报道. (1) 提出了一种光子准晶结构SiO2/Al2O3复合PSS技术;

(2) 提出了一种软模板环形掩膜火山口型纳米PSS制备方法;

(3) 提出了CHF3/BCl3二次掩膜PSS产业化刻蚀技术;

(4) 提出了纳米PSS上小合拢区AlN侧向外延方法,研制出位错密度为2.3x108 cm-2的AlN外延材料;

(5) 提出了蓝宝石上InN边界温度控制外延方法,研制出室温电子迁移率为3580 cm2/Vs的InN外延材料.

3、应用和用户评价情况: 该项目成果已大规模产业应用.光子准晶结构 SiO2/Al2O3复合PSS新技术已在中图公司实现产业化,并应用于 LED芯片企业的外延制程,对提高GaN外延质量和芯片出光效率作用显著.CHF3/BCl3二次掩膜产业化刻蚀新技术大幅提高了PSS制造效率,显著提升了PSS品质,中镓公司2014年以该项成果为基础,制定和发布了PSS产品企业标准和广东省地方标准.用此新技术制造的PSS产品品质和质量得到了LED芯片企业的广泛认可,用户发展到包括多家上市公司在内的海内外40余家芯片制造企业,如台湾晶元光电、华灿光电、乾照光电、德豪润达、国星光电、聚灿光电等,代表性用户评价摘录如下: 华灿光电股份有限公司:中图公司的复合PSS应用于本公司LED芯片生产制程中,对芯片一次性通过率、器件光效和抗静电能力等参数的稳定与提升起了关键作用.大批量统计数据显示LED芯片发光强度相对传统PSS提升5%-8%,产品合格率达到99.2%.采用该衬底生产的LED器件应用到LED背光源、大屏幕显示、路灯等产品中,产品稳定性好,节能效果显著. 佛山市国星半导体技术有限公司:中图公司的复合PSS衬底材料应用在本公司高亮度GaN基蓝绿光LED芯片规模化生产中.通过复合PSS的使用,GaN外延生长时间缩短约50%,热循环周期缩短,在该衬底上得到的外延片内量子效率提高,出光效率较一般PSS提高约3%.有效提升了公司生产制程的稳定性与良率,产品性能持续提升,在众多国内外著名工程中有了应用. 聚灿光电科技股份有限公司:中图公司的复合PSS应用于高亮度GaN基蓝绿光LED芯片生产中,GaN外延层生长时间和热循环周期缩短,外延芯片出光效率较一般PSS衬底高,促进了芯片生产制程的稳定性与良率.在复合PSS基础上形成了高发光效率外延、高均匀性高取光效率芯片工艺等核心技术.

4、科学引文评价: 该项目2006年迄今共获得国家发明专利授权31件,发表该领域SCI论文73篇.国内外同行评价举例如下: 举例1:该项目火山口型纳米PSS制备新技术及其GaN外延生长成果被作为封面论文发表于国际知名晶体生长期刊Cryst. Eng. Comm.上;

美国Nebraska大学Y.Lu教授等在ACS Appl. Mater. Interfaces上的论文引用该成果说明他们纳米PSS上GaN外延高温岛状生长的机理.台湾成功大学S.Chang教授等发表在J. Appl. Phys.上的论文引用了该项目硅烷促进GaN 三维岛状生长的工作,并指出其在位错弯曲、湮灭过程中起重要作用.中科院半导体所李晋闽研究员课题组在AIP Advance上的论文引用了该项目采用火山口型纳米PSS提高青光LED出光效率的工作. 举例2: 该项目纳米PSS上高质量AlN外延生长成果被国际半导体领域权威评论网站《Semiconductor Today》作为研究亮点报道,其评价到 北京大学的学者采用纳米PSS方法,大幅提升了异质外延AlN的晶体质量 .蓝宝石上AlN大失配异质外延生长成果被国际顶尖晶体生长专业期刊Cryst. Eng. Comm.选为封面论文发表.高质量AlGaN量子阱外延生长成果被Chin. Phys. B选为2014年度10篇Highlight(亮点)论文之一,并被英国物理学会(IOP) Highlights of