DOC《晶体生长原理与技术 课程教学大纲》

(一)教学方法与学时分配 课堂讨论,8学时

(二)内容及基本要求 主要内容:晶体生长过程中的扩散问题、导热问题、流动问题 . 【重点掌握】:晶体生长过程的扩散及生长热力学. 【掌握】:导热及液体流动对晶体生长的影响. 【难点】:晶体生长的扩散及热力学 第7章 晶体生长过程中的化学问题 7.1 晶体生长过程相关的化学原理 7.1.1 晶体生长过程的化学反应 7.1.2 物质的主要化学性质和化学定律 7.1.3 化学反应动力学原理 7.1.4 化学反应过程的热效应 7.1.5 化学反应的尺寸效应 7.1.6 晶体生长过程的其他化学问题 7.2 原料的提纯 7.2.1 气化-凝结法 7.2.2 萃取法 7.2.3 电解提纯法 7.2.4 区熔法 7.3 晶体生长原料的合成原理 7.3.1 熔体直接反应合成 7.3.2 溶液中的反应合成 7.3.3 气相反应合成 7.3.4 固相反应合成 7.3.5 自蔓延合成

(一)教学方法与学时分配 课堂讨论,8学时

(二)内容及基本要求 主要内容:晶体生长过程中的一些与化学相关的反应、定律及原理,原料的提纯及合成原理. 【重点掌握】:晶体生长过程中的化学问题. 【掌握】:原料的提纯及合成原理. 【难点】:晶体生长中的化学问题. 第8章 晶体生长过程物理场的作用 8.1 晶体生长过程的压力作用原理 8.1.1 重力场中的压力 8.1.2 微重力场的特性与影响 8.1.3 超重力场的特性与影响 8.1.4 晶体生长过程的高压技术 8.2 晶体生长过程中的应力分析 8.2.1 应力场计算的基本方程 8.2.2 应力场的分析方法 8.2.3 应力作用下的塑性变形 8.2.4 薄膜材料中的应力 8.3 电场在晶体生长过程中的作用原理 8.3.1 材料的电导特性 8.3.2 材料的电介质特性 8.3.3 晶体生长相关的电学原理 8.3.4 电场在晶体生长过程应用的实例 8.4 电磁场在晶体生长过程中应用的基本原理 8.4.1 电磁效应及磁介质的性质 8.4.2 电磁场的作用原理 8.4.3 电磁悬浮技术 8.4.4 电磁场对对流的控制作用

(一)教学方法与学时分配 课堂讨论,6学时

(二)内容及基本要求 主要内容:晶体生长过程中的压力作用原理,应力分析以及重力场、电场、电磁场对晶体生长的影响及作用原理. 【重点掌握】:晶体生长过程中应力的影响. 【掌握】:重力场、电场、电磁场对晶体生长的影响. 【难点】:应力分析.

第三篇 晶体生长技术 第9章 熔体法晶体生长(1)――Bridgman法及其相似方法 第10章 熔体法晶体生长(2)――CZ法及其他熔体生长方法 第11章 溶液法晶体生长 第12章 气相晶体生长方法

(一)教学方法与学时分配 课堂讨论,10学时

(二)内容及基本要求 主要内容:熔体、液体及气相晶体生长方法. 【重点掌握】:熔体法及气相生长过程. 【掌握】:溶液法晶体生长过程. 【难点】:晶体生长过程中的物理问题.

第四篇 晶体缺陷分析与性能表征 第13章 晶体缺陷的形成与控制 第14章 晶体的结构与性能表征 教学方法与学时分配 课堂授课,6学时

(二)内容及基本要求 主要内容:点缺陷、线缺陷及面缺陷的形成与控制方法,对晶体性能的影响;

晶体结构及性能表征方法. 【重点掌握】:缺陷的形成与控制. 【掌握】:晶体性能表征. 【难点】:晶体缺陷. 复习 2学时 (重点掌握、掌握、了解、一般了解四个层次可根据教学内容和对学生的具体要求适当减少,但不得少于两个层次)