DOC《MOS场效应管的开关特性》

MOS场效应管的开关特性 MOS场效应管是数字电路最常用的器件,在合适的出入信号作用下,具有开关特性.

MOS场效应管开关特性分析: ⑴ MOS场效应管开关电路,如图示: ⑵ 左面是增强型 N 沟通 MOS,简称 NMOS,右面是增强型 P 沟通MOS,简称 PMOS,各接成反向器电路图.查看给定的电路元件和信号源的参数. NMOS 的漏极(D)接在 +5V 的电源上,器件参数中设定它的阈值 Vth =+1.5V,当加在栅极(G)和源极(S)间的电压 VGSVth 时,管子导通;

PMOS 的漏极接在 -5V 的电源上,器件参数中设定它的阈值 Vth =-1.5V,当VGS>Vth 时,管子截止,而当 VGS