DOC《2011年百名海外博士江苏行泰州洽谈会项目简介》

2011年百名海外博士江苏行泰州洽谈会项目简介 项目编号

65 姓名 吴松坚 所在国家 美国 邮箱 Jackwu0@gmail.

com 持有项目情况项目名称 中文:高效能大功率半道体IGBT, MOSFET应用 英文: 项目所属领域 新能源、节能环保 项目技术所处阶段 产业化阶段 在哪国登记了专利 美国 转让或对外合作情况 项目具体描述高压 MOSFET: 不同规格及封装的 500V 系列 建立高压MOSFET 系列, 包括 600V, 650V, 800V~1800V 快速恢复体二极管系列 将以上系列通过下列封装质量检验: TO220, FullPack, D2Pak, I2Pak, DPak, IPak, TO247 IGBT: 完成下列传统IGBT产品系列: 600V, 900V and 1400V 完成下列沟槽型 IGBT 产品系列: 300V, 600V, 900V and 2400V NPT IGBT, 600V 及以上 沟槽栅 NPT IGBT, 600V 及以上 短关断时间系列 中压 MOSFET: 平面型 150V, 200V, 250V, 300V 低压 MOSFET: 平面型 MOSFET 20V, 30V, 55V, 75V, 100V