编辑: LinDa_学友 2019-12-21
薛阳 出生年月:1988.

02 籍贯:甘肃兰州 性别:男Email: [email protected] Tel:

13162808975 地址:上海市淞沪路

2005 号复旦大学物理楼 C205 室(200438) 教育背景 2014.09 C 2018.06 复旦大学,物理学系,凝聚态物理学专业,理学博士 2011.09 C 2014.06 北京师范大学,物理学系,凝聚态物理学专业,理学硕士 2006.09 C 2010.06 兰州大学,物理科学与技术工程学院,理论物理学专业,理学学士 研究领域 计算凝聚态物理 1. 新奇材料电子结构理论研究 2. 拓扑绝缘体理论研究 3. 表面界面物理,异质结 4. 磁性材料 5. 二维材料 6. 强关联电子系统 科研情况 2014.09 C 2018.06 State Key Laboratory of Surface Physics and Key Laboratory for Computational Physical Science (MOE) &

Department of Physics, Fudan University, Shanghai, China 应用表面物理国家重点实验室(复旦大学) ,计算物质科学教育部重点实验室(复旦 大学) ,复旦大学物理学系 导师:杨中芹(教授) 主要从事计算凝聚态物理方向的研究工作,开展了新奇材料电子结构和拓扑绝缘体的第一性原理研 究,精通密度泛函理论研究方法,添加了贝里曲率、反常霍尔电导、陈数、自旋霍尔电导、类角分 辨光电子能谱 (ARPES) 实验观测表面 (边缘) 态能谱图等一系列基于第一性原理实现的计算模块, 通过使用发展的计算方法和学习掌握的紧束缚物理模型研究材料的电子结构和拓扑特性,在Cu2S/MnSe 异质结中实现了具有半金属性边界态的 Chern 绝缘体、graphene/CrI3 强磁化现象及拓扑 性的预言、 Sb 薄膜中新奇 QSQAHE 量子态的预言、 磁性掺杂单层 MoS2 实现 QAHI、 磁性掺杂 MoTe2 中的谷极化效应等研究工作中起到了重要的作用. 到目前为止,发表 SCI 收录论文

7 篇,其中以第一作者发表论文

3 篇.其中在 nature 旗下权威期刊 NPG Asia Materials 以一作发表论文

1 篇, 另外还在材料类权威期刊 Nanoscale 以一作发表论文一篇. 其中在 NPG Asia Materials (2018) 10,

467 这篇文章中,我们在 Cu2S/MnSe 异质结中实现了具有半金 属性边界态的新奇 Chern 绝缘体, 这项研究成果揭示了一类可以实现无耗散自旋电子学器件的 Chern 绝缘体,阐明了自旋电子学和拓扑绝缘体的一种新关联,同时也开辟了一种从普通半导体入手去实 现拓扑绝缘体的新思路. 另外还以其他作者身份在 Phys. Rev. B, PCCP 等国际期刊发表了多篇论文. 总之,我工作非常认真负责,不断的学习新知识,有比较强的解决问题的能力,具有合作精神,关 注前沿问题,有能力开展新方向的科研工作,并且善于给自己创造科研工作条件. 2011.09 C 2014.06 北京师范大学物理学系 导师:寇谡鹏(教授) 主要从事强关联电子系统的研究工作,学习并熟练掌握了平均场方法.运用平均场方法详细研究了 基于双子格费米子系统(金属、半金属以及 Chern 绝缘体) ,Hubbard 模型中空穴诱导多种铁磁序的 问题. 参加国际学术会议情况 1. 计算凝聚态物理与计算材料学研讨会,2017 年,上海,做报告 2. 第十九届国际超晶格-纳米结构与器件会议,2016 年,香港,香港城市大学,做海报展览 3. 南方物理论坛 2015-拓扑物质和量子材料,2015 年,深圳,南方科技大学,做海报展览 4. 第一届凝聚态物理会议,2015 年,北京市,清华大学 5. 冷原子大会,2012 年,金华,浙江师范大学 获奖情况

2018 复旦大学优秀毕业生

2016 复旦大学博士生优秀学业奖学金

2015 复旦大学博士生优秀学业奖学金

2014 复旦大学博士生优秀学业奖学金

2007 兰州大学物理竞赛二等奖 主要学术论文 1. Yang Xue, Bao Zhao, Yan Zhu, Tong Zhou, Jiayong Zhang, Ningbo Li, Hua Jiang and Zhongqin Yang. Novel Chern insulators with half-metallic edge states. NPG Asia Mater. 10,

407 (2018). (IF=9.16) 2. Yang Xue, Jiayong Zhang, Bao Zhao, Xinyuan Wei and Zhongqin Yang. Non-Dirac Chern insulators with large band gaps and spin-polarized edge states. Nanoscale (DOI: 10.1039/C8NR00201K) (2018). (IF=7.37) 3. Yang Xue, Jing He, Xing-hai Zhang and Su-peng Kou. Theory of ferrimagnetism in the Hubbard model on bipartite lattices with spectral symmetry. J. Phys.: Condens. Matter 27,

356001 (2015). (IF=2.65) 4. Jiayong Zhang, Bao Zhao, Tong Zhou, Yang Xue, Chunlan Ma, and Zhongqin Yang. Strong magnetization and Chern insulators in compressed graphene/CrI3 van derWaals heterostructures. Phys. Rev. B 97,

085401 (2018). (IF=3.74) 5. Xinyuan Wei, Bao Zhao, Jiayong Zhang, Yang Xue, Yun Li, and Zhongqin Yang. Chern insulators without band inversion in MoS2 monolayers with 3d adatoms. Phys. Rev. B 95,

075419 (2017). (IF=3.74) 6. Tong Zhou, Jiayong Zhang, Yang Xue, Bao Zhao, Huisheng Zhang, Jiang Hua and Zhongqin Yang. Quantum spinCquantum anomalous Hall effect with tunable edge states in Sb monolayer-based heterostructures. Phys. Rev. B 94,

235449 (2016). (IF=3.74) 7. Jiayong Zhang, Bao Zhao, Yang Xue, Tong Zhou, and Zhongqin Yang. Coupling effect of topological states and Chern insulators in two-dimensional triangular lattices. Phys. Rev. B 97,

125430 (2018). (IF=3.74) 8. Ningbo Li, Jiayong Zhang, Yang Xue, Tong Zhou and Zhongqin Yang. Large valley polarization in monolayer MoTe2 on a magnetic substrate. Phys. Chem. Chem. Phys. 20,

3805 (2018). (IF=4.12) 推荐人信息 杨中芹 寇谡鹏 教授 教授 物理学系,复旦大学,上海,200438 物理学系,北京师范大学,北京,100875 Email:[email protected] Tel:021-65642643 Email:[email protected] CURRICULUM VITAE Name: Yang Xue Sex: Male Date of birth: Feb.,

1988 Place of Birth: Gansu Province, China Present Address: Physical building C205 Department of Physics, Fudan University

2005 Songhu Road, Shanghai 200438, China Tel: 86-13162808975 Email: [email protected] EDUCATION Ph.D. in Physics Expected in Jun.

2018 Department of Physics, Fudan University, China M.S. in Physics Jun.

2014 Department of Physics, Beijing Normal University, China B.S. in Physics Jun.

2010 School of Physics and Technology, Lanzhou Unive........

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