编辑: ok2015 | 2015-01-04 |
2 40
2 固体废弃物处置(一般工业固废由物资部门回收;
生活 垃圾,委托环卫清运.)
3 60
3 合计
5 100
4 环保投资占总投资比例:1.67%
4、生产班制及劳动定员 生产班制:三班制,每班工作
8 小时,年工作时间
250 天. 劳动定员:本项目新增人员
10 人,项目扩建完成后总劳动定员
210 人.
5、产品方案 扩建项目主要为掩膜版相关系数的研究与产品的开发, 无具体的产品产能. 研究方案与内容如下: 中南安全环境技术研究院股份有限公司
7 表5研究方案一览表 研究方向 研发内容 平板显示掩膜版超高精度显影工 艺公式研究 基于大尺寸掩膜版的光刻胶、光刻参数、显影蚀刻 工艺参数工艺公式研究,开发.
6 代AMOLED/LTPS 用HTM、 OPC 和PSM 技术
1、二次套准误差:提升到小于 0.35um
2、CD MTT:0.1um
3、贴pellicle MTM 技术在平板显示掩膜版的应 用技术研究
1、MTM(Multiple Tone Mask)技术研究;
2、研究 slit 和half tone 混合工艺技术
3、二次套刻误差的研究 OPC 在平板显示掩膜版的应用技 术研究
1、OPC(Optical Proximity Correction)技术研究和工 艺开发.
2、OPC 误差分析 PSM 在平板显示掩膜版的应用技 术研究 PSM(Phase Shift Mask)技术研究和工艺开发. 干法蚀刻在平板显示掩膜版的应 用技术研究
1、干法蚀刻可行性
2、干法蚀刻缺陷原理及分析 8.5 代及以下面积的涂胶技术
1、涂胶工艺技术研究
2、光刻胶材料、参数研究 8.5 代及以下 a-SiTFTLCD array 用binary mask
1、CD MTT:提升到小于 0.35um
2、CD Uniformity:提升到小于 0.35um
3、Registration:小于 0.5um
4、pellicle 工艺 8.5 代及以下 a-SiTFTLCD 用HTM、MTM、SSM
1、二次套准误差:小于 0.5um
2、CD MTT:小于 0.35um
3、pellicle 工艺
6 代AMOLED/LTPS 用高规 mask 产品
1、CD MTT:提升到小于 0.1um
2、CD Uniformity:提升到小于 0.1um
3、Registration:小于 0.35um
4、pellicle 工艺
6 代AMOLED/LTPS 用OPC mask 产品
1、CD 提升到 MTT:0.1um,CDU:0.1um
2、365nm 波长条件下 OPC
3、Registration:提升到小于 0.35um
4、pellicle 工艺
6 代AMOLED/LTPS 用PSM 产品
1、CD MTT: 提升到小于 0.1um
2、相位误差:180°小于±3%
3、Registration:0.35um
4、pellicle 工艺 产品:1um 线宽 CSP 芯片封装掩 膜版
1、Min CD:1.0um
2、CD MTT: 提升到小于 0.07um
3、defect:1.0um 可控
4、成本下降 15% 中南安全环境技术研究院股份有限公司
8 0.5~0.35um 制程用掩膜版先进制 造技术 满足 0.35um 逻辑电路芯片用 mask
1、CD MTT: 提升到小于 0.04um
2、CD range: 提升到小于 0.05um
3、defect:0.35um 可以被检出 OPC 技术 光学临近效应补偿技........