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二、 引用文件和参考文献 本指南引用的文件主要包括: 《省级温室气体清单编制指南(试行) 》 ;

《中国温室气体清单研究》 ;

《2006 年IPCC 国家温室气体清单指南》 . 本指南在编制过程中还参考和借鉴了下列文件: 《温室气体盘查工具》 (台湾经济部工业局公布) ;

《温室气体议定书――企业核算与报告标准(2004 年修订 版) 》 ;

ISO 14064-1《温室气体 第一部分:组织层次上对温室气体 排放和清除的量化和报告的规范及指南》 ;

2 《欧盟针对 EU ETS 设施的温室气体监测和报告指南》 .

三、 术语和定义 本指南采用下列术语和定义. (1) 温室气体 大气层中那些吸收和重新放出红外辐射的自然和人为的气 态成分.本指南的温室气体是指《京都议定书》附件A所规定的 七种温室气体,分别为二氧化碳(CO2)、甲烷(CH4)、氧化亚 氮(N2O)、氢氟碳化物(HFCs)、全氟化碳(PFCs)、六氟化 硫(SF6)和三氟化氮(NF3).本指南涉及的温室气体包括除N2O、 CH4以外的五种温室气体. (2) 电子设备制造企业 电子设备制造企业指的是计算机通信和其他电子设备制造 企业. (3) 报告主体 具有温室气体排放行为并应核算和报告排放量的法人企业 或视同法人的独立核算单位. (4) 化石燃料燃烧排放 化石燃料与氧气进行充分燃烧产生的温室气体排放. (5) 工业生产过程排放

3 原材料在工业生产过程中除化石燃料燃烧之外的由于物理 或化学反应、工业生产过程中温室气体的泄漏、废气处理等导致 的温室气体排放. (6) 净购入的电力和热力产生的 CO2 排放 企业消费的净购入电力和净购入热力(蒸汽、热水)所对应 的电力或热力生产环节产生的CO2排放. (7) 活动水平 量化导致温室气体排放或清除的生产或消费活动的活动量, 例如每种化石燃料的消耗量、生产原料的使用量、购入的电量、 购入的蒸汽量等. (8) 排放因子 与活动水平数据相对应的系数, 用于量化单位活动水平的温 室气体排放量.排放因子通常基于抽样测量或统计分析获得,表 示在给定操作条件下某一活动水平的代表性排放率. (9) 碳氧化率 燃料中的碳在燃烧过程中被氧化的百分比. (10) 刻蚀 刻蚀是按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面 覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程.

4 (11)化学气相淀积(CVD)腔室清洗 化学气相淀积(CVD)指把含有构成薄膜元素的气态反应剂 或液态反应剂的蒸汽及反应所需其它气体引入反应室, 在衬底表 面发生化学反应生成薄膜的过程.CVD腔室清洗是利用化学反应 清洗腔室内残余物质的过程.

四、 核算边界

(一)企业边界 报告主体应以企业法人为边界, 核算和报告边界内所有生产 设施产生的温室气体排放.生产设施范围包括主要生产系统、辅 助生产系统、以及附属生产系统,其中辅助生产系统包括动力、 供电、供水、化验、机修、库房、运输等,附属生产系统包括生 产指挥系统(厂部)和厂区内为生产服务的部门和单位(如职工 食堂、车间浴室、保健站等). 电子设备制造企业温室气体排放包括:化石燃料燃烧排放、 工业生产过程排放及净购入电力、热力产生的排放.电子设备制 造企业的工业生产过程排放主要来源于半导体生产中刻蚀与CVD 腔室清洗工艺产生的排放. 电子设备制造企业的温室气体排放及核算边界见图1.