编辑: You—灰機 | 2015-05-07 |
(d)Si/rGO/C 复合材料. 图1复合材料的制备流程示意图 Fig.
1 Schematic illustration of composite preparation
2 结果与讨论 2.1 材料的表征 2.1.1 物相分析 纳米 Si 粉、Si/C、Si/rGO/C 复合材料的 XRD 谱图如图 2(a)所示,可以看出,Si/C 和Si/rGO/C 复合材料与纳米 Si 一致,在28.4°, 47.4°,56.2°,69.2°和76.5°出现衍 射峰,分别对应于晶体 Si 的(111) , (220) , (311) , (400)和(331)晶面,且没有出现新 的衍射峰[18] .从ICP-AES 分析结果(表1)可知,Si/C 及Si/rGO/C 复合材料中 Na 和Ca 的 质量分数均低于 0.5%,说明制备复合材料过程中杂质基本清除.为了说明复合材料中碳组 分的存在,对以上
3 种材料进行了 Raman 测试,如图 2(b)所示.与纳米 Si 的Raman 谱 图相比, Si/C 和Si/rGO/C 复合材料除在
517 cm-1 出现了 Si 的特征峰外, 在1340 和1580 cm-1 附近出现了新的分别代表无序化碳结构和有序石墨化结构的 D 峰和 G 峰,Si/rGO/C 复合材 料的 D/G 峰强度明显大于 Si/C 复合材料,这与 rGO 的存在有关[9].因此,可以确认在经........