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SVT09N06SA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.

2 http: //www.silan.com.cn 共7页第1页9A、60V N沟道增强型场效应管 描述 SVT09N06SA N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造.先进的工艺及原胞结构使得该产品具有极低的 导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量. 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域. 特点 ? 9A,60V,RDS(on)(典型值)=11m?@VGS=10V ? 低栅极电荷量 ? 低反馈电容 ? 开关速度快 ? 提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产品名称封装形式 打印名称 环保等级 包装SVT09N06SA SOP-8-225-1.27 09N06SA 无卤 料管 SVT09N06SATR SOP-8-225-1.27 09N06SA 无卤 编带 极限参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数名称 符号 参数范围 单位 漏源电压 VDS

60 V 栅源电压 VGS ±20 V 漏极电流 TC=25°C ID

9 A TC=100°C 5.7 漏极脉冲电流 IDM

36 A 耗散功率(TC=25?C) - 大于 25?C 每摄氏度减少 PD 2.5 W 0.02 W/?C 单脉冲雪崩能量(注1) EAS

320 mJ 工作结温范围 TJ -55~+150 ?C 贮存温度范围 Tstg -55~+150 ?C 热阻特性 参数名称符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 RθJC

30 ?C/W 芯片对环境的热阻 RθJA

85 ?C/W SVT09N06SA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http: //www.silan.com.cn 共7页第2页关键特性参数(除非特殊说明,TC=25?C) 参数符号测试条件最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250?A

60 -- -- V 漏源漏电流 IDSS VDS=60V, VGS=0V -- -- 1.0 ?A 栅源漏电流 IGSS VGS=±20V, VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250?A 1.1 -- 2.4 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=9A --

11 13 m? VGS=4.5V, ID=6A

12 15 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V, VDS=25V -- 2391.20 -- pF 输出电容 Coss -- 173.54 -- 反向传输电容 Crss -- 139.02 -- 开启延迟时间 td(on) VDD=30V,VGS=10V, RG=24Ω,ID=9A (注4,5) -- 16.08 -- ns 开启上升时间 tr -- 60.08 -- 关断延迟时间 td(off) -- 211.68 -- 关断下降时间 tf -- 107.96 -- 栅极电荷量 Qg VDD=48V,ID=9A,VGS=10V (注4,5) -- 54.46 -- nC 栅极-源极电荷量 Qgs -- 8.56 -- 栅极-漏极电荷量 Qgd -- 14.36 -- 源-漏二极管特性参数 参数符号测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结-- --

9 A 源极脉冲电流 ISM -- --

36 源-漏二极管压降 VSD IS=9A,VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=9A,VGS=0V, dIF/dt=100A/?s -- 20.96 -- ns 反向恢复电荷 Qrr -- 0.02 -- ?C 注: 1. L=10mH,IAS=8.0A,VDD=50V,RG=20?,开始温度 TJ=25?C;

2. 漏电流受限于结温;

3. 焊接在1in2 FR-4转接板上测试热阻值;

4. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;

5. 基本上不受工作温度的影响. SVT09N06SA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http: //www.silan.com.cn 共7页第3页典型特性曲线 图2. 传输特性

0 0

1 2 总栅极电荷 - QG (nC) 图6. 栅极电荷量特性

30 10

0 30

6 40

10 8

2 12

0 50

0 4

1 注: ID=9A 图1. 输出特性 漏源电压 - VDS (V)

3 10

20 注: 1.250?S Pulse test 2.Tc=25°C

20 0

40 10

20 图5. 电容特性

0 1

10 100 漏源电压 - VDS(V)

0 500

1000 3000

4000 1500 注: 1. VGS=0V 2. f=1MHz

4 6 VDS=12V 0.1

10 1.0 0.4 0.6 0.8

1 100 注: 1. VGS=0V 2. 250?S pulse test VDS=30V VDS=48V Crss Ciss Coss Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 栅源电压 - VGS (V) -150°C 注: 1.VDS=5V 2.250?S pulse test -55°C 25°C 漏极电流 - ID (A) 源漏电压 - VSD (V) -55°C 150°C 25°C