PDF《建设项目环境影响报告表》

2014 年发布《国家集成电路产业发展推进纲要》和 集成电路产业 十 三五 发展规划建议 等相关文件精神, 十三五 期间将全面落实《纲要》提出的 坚 持需求牵引、创新驱动、软硬结合、重点突破、开放发展 的原则, 着力发展集成电 路设计业,大力开发集成电路产品 的产业重点.基于集成电路行业良好的发展前景 以及国家对半导体集成电路自主研发、先进制造工艺的政策扶持鼓励,颀中科技从 自身技术优势和发展前景的角度出发,拟投资

720 万美元,在现有厂区内建设覆晶 封装工程技术研发技改项目.目前本项目已取得备案通知书(见附件 1)和建设项目 环评咨询建议书(详见附件 2) ,本次评价针对铜锡凸块技术研发工程. 根据《中华人民共和国环境影响评价法》和《建设项目环境影响评价分类管理 名录》等相关规定,颀中科技(苏州)有限公司委托苏州科太环境技术有限公司承担 本项目的环境影响评价工作,编制 建设项目环境影响报告表 .

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2、项目建设必要性 为更好的适应市场未来走向,颀中科技公司力求 生产一代、新建一代、研发 一代 的经营发展之路,针对晶圆的金属凸块制造工艺,在原金凸块和铜金凸块的 基础上,提前进行铜锡凸块的研发,目的是为今后逐步取代原铜金凸块而作准备, 实现全厂项目 增产不增污 ,产品应用由原来的面板显示器驱动芯片,拓展到无线 射频辨识芯片及电源管理芯片领域.

3、项目内容及规模 本次研发项目拟依托五期项目主体和公辅设施,研发铜锡凸块工艺,现有主体 工程生产产能不变,详见下表. 表1-4 项目主体工程与产品方案 工程名称 产品名称及规格 设计能力(/a) 运行时数 金凸块生产

20 万片 一期项目 卷带封装

5000 万颗 二期项目 卷带封装

6 亿颗 金凸块生产

5 万片 三期项目 铜金凸块生产

20 万片 金凸块针测切割研磨

36 万片 四期项目 裸晶封装

8 3亿颗 五期项目

12 季г步鹗敉箍榉獠獬钅(在建)

12 48 万片 365d*24h 本次研发 项目 覆晶封装工程技术研发项目 / 铜锡凸块研发能 力2000 片/年365d*8h 注:一期和三期项目租用厂区北侧的京隆科技厂房,

二、

四、五期项目位于颀中科技厂区. 职工人数:本次研发项目不新增员工;

工作制度:本次研发项目年工作

365 天,每天

8 小时.

5 表1-5 本次研发项目公辅工程一览表 设计能力 建设名称 技改前 技改后 变化情况 备注 原料仓库

1245 m2

1245 m2

0 依托现有 成品仓库

3578 m2

3578 m2

0 依托现有 贮运化学品库

425 m2

425 m2

0 依托现有 食堂

1125 m2

1125 m2

0 包含厨房和餐厅,服务全厂 给水系统

377687 m3 /a

378146 m3 /a 459m3 /a 新鲜水用量,区域供水系统 排水系统

384149 m3 /a

384524 m3 /a 375m3 /a 依托区域排水管网 供电系统

10000 万度/a

10017 万度/a

17 万度/a 区域电网 冷却塔 2*1800RT 1*600RT 2*1200RT 2*1800RT 1*600RT 2*1200RT

0 依托现有 公用纯水制备系统 1*20m3 /h 4*30m3 /h 1*20m3 /h 4*30m3 /h

0 依托现有 1*12000m3 /h 1*12000m3 /h

0

一、三期项目配套,排气筒编号 P1-1,本次不变 碱液喷淋吸 收塔 1*18000m3 /h 1*18000m3 /h

0 五期项目配套,排气筒编号 P2-1,本次不变 1*8000 m3 /h 1*8000 m3 /h

0

一、三期项目配套,排气筒编号 P1-2,本次不变 活性炭吸附 塔1*15000m3 /h 1*15000m3 /h