PDF《行业分析》

5 本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页. 图5:CCZ 技术原理示意图 图6:CCZ 单晶硅生长炉 资料来源:450mm.com,安信证券研究中心 资料来源:Aving global news,安信证券研究中心 图7:CCZ 拉制工艺流程图 资料来源:晶创光伏配件超市,安信证券研究中心 CCZ 连续直拉法最大的优势为效率优势.CCZ 直拉法晶棒拉制(等径生长流程)与加料熔 化同时进行,省去了单晶棒冷却的时间,大大提升了工业生产效率.同时 CCZ 法在坩埚所 允许的寿命周期内可完成 8-10 根的晶棒拉制,而RCZ 目前仅可完成 4-5 根拉制. 表1:CCZ 与RCZ 一炉两根拉晶工序时间对比 CCZ 装料 抽空 检漏 熔料 复投 挥发 找温 引晶 放肩 转肩 等径 收尾 合计 RCZ 0.5

1 0.1 5.5 9.5

2 4

2 4 0.34

86 1.8 116.74 CCZ 0.5

1 0.1 5.5 3.5

2 3

2 4 0.34

86 1.8 109.74 资料来源:晶创光伏配件超市,安信证券研究中心 此外,由于 CCZ 连续直拉法一边拉制,一边加料的特性,坩埚内多晶硅液面保持稳定,这 能够给拉制过程带来更稳定的热场环境,便于精密控制生长条件,可以较快速度获得优质大 股票报告网整理http://www.nxny.com 行业分析/其他专用设备

6 本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页. 单晶. CCZ 连续直拉法生产的单晶硅棒还有更均衡的电阻率.普通直拉法中,为了控制晶棒的电阻 性,晶棒拉制过程中掺杂剂(如硼、磷或锑)被添加到硅熔液中.随着晶棒的拉制,由于不 同的偏析系数,剩余硅熔液中的掺杂剂浓度升高,拉制出来的晶棒电阻率降低,导致后半部 分晶体的电阻率偏离预定的范围,降低工业生产效率.而CCZ 技术中的掺杂剂能够被精确 地连续添加进熔液中,使得生产出来的单晶硅棒有更均衡的电阻率. 图8:CCZ 法与 RCZ 法晶棒电阻率对比(蓝线为 RCZ,红线为 CCZ) 资料来源:晶盛机电,安信证券研究中心 1.3. 困扰 CCZ 技术大规模生产的瓶颈逐步解决 移动式自动复投技术的掌握.移动式自动复投技术是 CCZ 与RCZ 的核心差异,只有掌握了 移动式自动复投技术,才有可能从 RCZ 升级到 CCZ 技术,减少设备的复投的时间.这需要 企业提升自身研发实力,实现 CCZ 技术的工业化应用. CCZ 技术对复投料的要求极高,需要使用高品质颗粒硅作为原料,这也是限制 CCZ 技术发 展的主要因素之一.目前 FBR(硅烷流化床法)生产的高品质颗粒硅产品可作为 CCZ 的最 佳用料. 保利协鑫通过收购 SunEdison 的部分资产取得了 FBR 硅烷流化床法的技术, 有望 形成技术协同. 股票报告网整理http://www.nxny.com 行业分析/其他专用设备

7 本报告版权属于安信证券股份有限公司. 各项声明请参见报告尾页. 图9:SunEdison FBR 技术示意图 图10:颗粒硅 资料来源:SunEdison 专利申报,安信证券研究中心 资料来源:REC Solar,安信证券研究中心 CCZ 直拉法生产成本的降低依赖于坩埚寿命的延长.目前国产的石英坩埚寿命在

250 小时 左右,一定程度上限制了 CCZ 方法达到理论最佳的生产效率(一次拉 8-10 ........