PDF《产品应用》

0 10 VDD 待机电流 IVDDST INA=INB=L;

VCC=7V VDD=10V;

输出悬空 --

0 10 uA VCC 静态电源电流 IVCC INA=H or INB=H;

输出悬空 --

88 -- uA

网址:Http://www.ChipSourceTek

电话:0755-27595155

27595165 29359583

29359586 传真:0755-27594792 E-mail: tony.wang@ChipSourceTek.como info@ChipSourceTek.com VDD 静态电源电流 IVDD INA=H or INB=H;

输出悬空 --

158 -- 输入逻辑电平 输入高电平 VINH

2 -- -- 输入低电平 VINL -- -- 0.8 输入电平迟滞 VHYS -- 0.3 -- V 输入高电平电流 IINH VINH=2.5V,VCC=3V --

255 -- uA 输入下拉电阻 RIN VINH=3V,VCC=3V --

12 -- KΩ 功率管导通内阻 IO=±200mA,VDD=6V,TA=25℃ -- 0.18 -- 导通电阻 RON IO=±1800mA,VDD=6.5V,TA=25℃ -- 0.22 -- Ω 保护功能参数 热关断温度点 TSD --

150 -- 热关断温度迟滞 TSDH --

20 -- ℃ 功率 MOSFET 体二极管导通特性 PMOS 体二极管 VPD I=400mA,VCC=3V,VDD=INA=INB=0V -- 0.69 -- NMOS 体二极管 VND I=-400mA, VCC=VDD=3V,INA=INB=0V -- 0.75 -- V 电机驱动时间参数 输出上升时间 tr --

250 -- 输出下降时间 tf --

30 -- trf --

80 -- 输出延迟时间 tfr VCC =5V,VDD=5V,INB=H,INA 输入脉冲 信号;

信号占空比为 50%, 信号频率为 20KHz 负载电机内阻 1.3Ω,电机空转 --

220 -- ns 推荐工作条件(Ta=25℃,VDD=6.5V) 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 逻辑和控制电源电压 VCC 1.8 --

5 V

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27595165 29359583

29359586 传真:0755-27594792 E-mail: tony.wang@ChipSourceTek.como info@ChipSourceTek.com 功率电源电压 VDD

2 -- 11.5 V 持续输出电流 IOUT -- 2.6 -- A 注:(1)、逻辑控制电源 VCC 与功率电源 VDD 内部完全独立,可分别供电.当逻辑控制电源 VCC 掉电之后, 电路将进入待机模式. (2)、 持续输出最大电流与 PCB 厚度、尺寸及板材等有关,即散热条件越好电流越稳定. 测试原理图 VCC VDD PGND AGND INB INA OUTA OUTB

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7 8 + - 3V 电流源 I=400mA VCC VDD PGND AGND INB INA OUTA OUTB

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7 8 + - 3V 电流源I=400mA + - 3V PMOS 体二极管导通电压测试原理图 NMOS 体二极管导通电压测试原理图 VCC VDD PGND AGND INB INA OUTA OUTB

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7 8 + - 5V + 100uF 0.1uF M INB INA OUTB OUTA tr tr trf trf t 时........