编辑: 烂衣小孩 2019-07-16
镓能半导体(佛山)有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co.

, Ltd. www.ganpowersemi.com 中国广东省佛山市南海区桂城宝石西路

1 号C时代

2 座7楼706(AB 电梯) Tel:0757-86790868 Fax:0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code:

528251 650V N-channel GaN FET in TO220-4L GP16530TD4 产品摘要(典型) RDS(on) (m?)

69 Qrr (nC)

78 VDS (V)

650 产品特点 : 低QRR 无需续流二极管 用于降低 EMI 的高端安静标签? 开尔文引脚 高频操作 产品应用: 紧凑型 DC-DC 变换器 交流电机驱动 电池充电器 开关电源 极限参数 (TC=25 °C 若无特殊说明) 符号 参数名称 极限值 单位 ID 25°C 漏极电流(直流) @TC=25 °C

39 A ID 125°C 漏极电流(直流) @TC=125 °C 17.2 A IDM 漏极脉冲电流(pulse width:50 us)

78 A VDSS 漏源击穿电压

650 V VGSS 栅源电压(直流) ±6 V TJ 结温工作温度 -55 to

150 °C PD 25°C 漏极最大允许耗散功率

165 W TS 贮存温度 -55 to

150 °C TCsold 焊接峰值温度b

260 °C 耐热性 符号 参数名称 典型值 单位 RΘJC 结壳热阻 0.8 °C /W K 镓能半导体(佛山)有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 中国广东省佛山市南海区桂城宝石西路

1 号C时代

2 座7楼706(AB 电梯) Tel:0757-86790868 Fax:0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code:

528251 电气特性 (TC=25 °C 若无特殊说明) 符号 参数名称 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 静态 VDSS-MAX 漏源击穿电压

650 V VGS=0 V,ID=3 ?A VGS=0 V, ID=300 ?A VGS(th) 栅极阈值电压 1.4 V VDS=0.1, ID=36 mA RDS(on) 漏源通态电阻 (TJ =

150 °C)

128 mΩ VGS=6V, ID =15A,TJ =

150 °C RDS(on) 漏源通态电阻 (TJ =

25 °C)

69 mΩ VGS=6V, ID =15A, TJ =

25 °C IDSS 漏极漏电流测试 1.9 ?A VDS=650V, VGS=0V, TJ =

25 °C

30 ?A VDS=650V, VGS=0V, TJ =

150 °C IGSS 漏极正向漏电流

57 ?A VGS=

6 V,VDS=0V,TJ =

25 °C 漏极正向漏电流

1008 VGS=

6 V, VDS=0V,TJ =

150 °C 动态 CISS 栅短路共源输入电容

255 pF Vds=400V, Vgs=0, f=1MHz COSS 栅短路共源输出电容

84 CRSS 栅短路共源反向传输电 容1.5 Qg 总栅极电荷b 5.7 - nC Vds=400V, Id=3A, Vg=0~6V Qgs 栅源电荷 0.3 Qgd 栅漏电荷 3.3 td(on) 开通延迟时间 6.2 ns Vgs=400V, Vgs=0~6V, Id=15A, Rg=3.3 Ohm, Wheeling Diode=G-S Shorted DUI tr 上升时间 12.7 Td(off) 关断延迟时间 5.8 tf 下降时间

10 Rg Gate Resistance 0.8 Ω Vs=Vd=0V, Vg=2V, f=1MHz Rdson (Dynamic) Dynamic Rdson 1.3 Ratio Vds=400V, Id=3A, f=10KHz,duty=10% 反向特性 ID-VD 源极反向电流

78 - A VGS=6V, VDS=10V,Pulse Width=50us VSD 源漏反向电压 2.7 V VGS=0V, ISD=15A trr 反向恢复时间

14 ns Vr=400V, If=15A, dI/dt=100A/us Qrr 反向恢复充电电量

78 nC 镓能半导体(佛山)有限公司 GaNPower Semiconductor (Foshan) co., Ltd. www.ganpowersemi.com 中国广东省佛山市南海区桂城宝石西路

1 号C时代

2 座7楼706(AB 电梯) Tel:0757-86790868 Fax:0757-81023712 Room 706, Block2, C Times Square, No.1, Bao Shi Xi Road, Nanhai District, Foshan, Guangdong, China Post Code:

528251 封装形式 (TO220-4L,Unit:mm):

下载(注:源文件不在本站服务器,都将跳转到源网站下载)
备用下载
发帖评论
相关话题
发布一个新话题