DOC《江苏省工业和信息化厅文件》

(六)发布揭榜成果.揭榜企业和入围企业完成攻关任务后,由省工业和信息化厅组织行业专家或委托具备相关资质和检测条件的第三方专业机构开展评价工作.评价工作基于揭榜任务和预期目标,依据攻关实际成果进行评估,适时公布评估结果.经评估确定完成攻关任务的,公开发布攻关成功企业名单,并大力支持攻关成果推广应用.

三、工作要求 各地工业和信息化主管部门要加强组织领导,充分调动企业、科研院所、相关产业联盟及行业协会的积极性;

密切跟踪揭榜企业和入围企业产品创新及应用进展,适时开展揭榜任务的阶段性评估,有效协调推进揭榜任务攻关组织实施工作.鼓励各地结合本地区产业发展情况,在相关配套资金、项目、优惠政策等方面优先给予支持,为揭榜企业和入围企业完成攻关任务创造良好环境. 附件:1.2019年第一批揭榜任务和预期目标 2.揭榜单位申报材料 3.揭榜申请单位信息汇总表 附件1: 2019年第一批揭榜任务和预期目标 (27项任务)

一、集成电路(联系人:电子信息产业处 王小飞 025-69652636)

(一)亿门级FPGA芯片 揭榜任务:对标国际先进水平,突破亿门级FPGA芯片自主研制瓶颈,掌握亿门级FPGA芯片的硬件设计、测试、封装、可靠性、FPGA开发工具研发等关键技术,建立完备的FPGA产品研发、制造、测试体系. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:

1、工作电压:内核:0.8V,IO:1.2-1.8V;

2、逻辑单元:1000K;

3、DSP (25*18 Slice)Slice:工作频率:600MHz;

4、集成数量:800个;

5、片上存储容量:60Mb;

6、PCIe:Gen3,4 Lanes;

7、存储器接口:DDR4;

8、数据带宽不低于2400bps*64=153.6Gbps;

9、Serdes接口:32路单通道16.3Gbps,6路单通道30.5Gbps;

10、LVDS速率:1.25Gbps.

(二)GaN毫米波集成电路芯片 揭榜任务:对标国际先进水平,提高GaN毫米波芯片的产业化供给能力,提高通信用产品的线性度、效率. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:

1、GaN毫米波功率MMIC:频带24.25-27.6GHz,饱和功率33dBm,饱和效率30%,8dB backoff 7%效率,增益18 dB;

2、GaN毫米波Doherty MMIC:频带24.25-27.6GHz,饱和功率 33dBm,饱和效率25%,8dB backoff 15%效率,增益15dB;

3、GaN毫米波收发前端芯片:频段24-30GHz,内部集成接收LNA,发射PA及收发开关;

接收:增益17 dB,接收饱和输出功率17 dB m;

发射:增益27dB,饱和输出功率31 dBm,Pout

23 dBm时IM3优于35dBc.

(三)5G通信FBAR射频滤波芯片 揭榜任务:对标国际先进水平,突破FBAR滤波芯片的国产化瓶颈,攻克器件设计、工艺、制造、封测全产业链关键技术,形成FBAR知识产权体系. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:

1、5G通信wifi芯片,带宽81MHz,插损2.2dB,抑制度45dB;

2、5G通信n41芯片,带宽196MHz,插损3dB,抑制度40dB;

3、5G新频段3.5GHz芯片,带宽200MHz,插损3dB,抑制度45dB.

(四)VPS成像芯片 揭榜任务:对标国际先进水平,解决现有主流图像传感器技术CIS像素尺寸无法持续缩小的技术瓶颈,使像元尺寸缩小到百纳米以下. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标:像素尺寸0.5微米,像素规模1亿.

(五)大规模集成电路用12英寸单晶制造的电子级多晶硅材料 揭榜任务:对标国际先进水平,实现电子级高纯多晶硅连续、稳定、大规模工业化生产,在电阻率、杂质浓度等量化指标和稳定性、产品晶型结构等指标上取得突破,达到世界一流水平,产品质量满足40nm及以下极大规模集成电路用12英寸单晶制造需求. 预期目标:到2021年,达到以下技术目标: