DOC《PIEふぬ？101鍪疴》

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wendangwang.com/ 本文档下载自文档下载网,内容可能不完整,您可以点击以下网址继续阅读或下载: http://www.wendangwang.com/doc/28740f52420810d17a74cb2f PIE工艺整合工程师101个问答题 PIE工艺整合工程师101个问答题 Question &

Answer PIE工艺整合工程师 个问答题 [此处图片未下载成功] 1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什么? 答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的 资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield) 稳定良好.2 [此处图片未下载成功] 2. 200mm,300mm Wafer 代表何意义? 答:8脊杵(wafer)直 径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12. [此处图片未下载成功] 3.目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm 的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂) 采用多少mm的wafer工艺? 答:当前1~3厂为200mm(8英寸) 的wafer, 工艺水平已达0.13um 工艺.未来北京厂工艺wafer将 使用300mm(12英寸).4 [此处图片未下载成功] 4.我们为何需要300mm?l 答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成 本降低200→300 面积增加2.25倍, 芯片数目约增加2.5倍8

12 mm mm5 [此处图片未下载成功] Increase in Number of Chips on Larger Wafer Diameter die 200-mm wafer

232 die 300-mm wafer6 目的:降低成本 [此处图片未下载成功] 5.所谓的0.13 um 的工艺能力 (technology)代表的是什么意义?l 答:是指工厂的工艺能力 可以达到0.13 um的栅极线 宽.当栅极的线宽做的越 小时,整个器件就可以变 的越小,工作速度也越快.7 ://www.wendangwang.com/doc/28740f52420810d17a74cb2far[此处图片未下载成功] 6.0.35um→0.25um→0.18um→0.15um→0.13um 的technology改变又代表的是什么意义?l 答:栅极线的宽(该尺寸的大小代 表半导体工艺水平的高低)做的越 小时,工艺的难度便相对提高.从0.35um→0.25um→0.18um→0.15um → 0.13um 代表着每一个阶段工艺能 力的提升.8 [此处图片未下载成功] 7.一般的硅片(wafer)基材(substrate)可 区分为N,P两种类型(type),何谓 N, P-type wafer? 答:N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素, 例如:P、As)的硅片, Ptype 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片.9 [此处图片未下载成功] 8.工厂中硅片(wafer)的制造过 程可分哪几个工艺过程(module)?l 答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、 PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀).其中DIFF 又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离 子注入)、RTP(快速热处理).TF包括PVD(物理 气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机 械研磨).硅片的制造就是依据客户的要求,不断 的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产 过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好. [此处图片未下载成功] 光刻概念Wafer fabrication (front-end) Wafer start FilmsUnpatterned wafer Completed wafer Diffusion Photo /Sort 光刻占成本1/311 [此处图片未下载成功] http://www.wendangwang.com/doc/28740f52420810d17a74cb2f9.一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数 (mask layer)来代表硅片工艺的时间长短, 请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表 什么意义?l 答:几P几M代表硅片的制造有几层的 Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线). 一般0.15um 的逻辑产品为1P6M( 1层的 Poly和6层的metal).而光 罩层数(mask layer)代表硅片的制造必需经过几次的 PHOTO(光刻)12 [此处图片未下载成功] 10.Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的 是为何? l 答:①不希望有机成分的 光刻胶直接碰触Si 表面. ②在laser刻号过程中,亦 可避免被产生的粉尘污染.13 [此处图片未下载成功] 11.为何需要zero layer?l 答:芯片的工艺由许多不同 层次堆栈而成的, 各层次之间 以zero layer当做对准的基准. [此处图片未下载成功] http://www.wendangwang.comser mark是什么用途? Wafer ID 又代表什么意义?l 答:Laser mark 是用来刻wafer ID(ID是英文IDentity的缩写,ID 是身份标识号码的意思. ), Wafer ID 就如同硅片的身份证一 样,一个ID代表一片硅片的身份. [此处图片未下载成功] 13.一般硅片的制造(wafer process) 过程包含哪些主要部分?l 答:①前段(frontend)-元器 件(device)的制造过程.②后段 (backend)-金属导线的连接 及护层(passivation) [此处图片未下载成功] 14.前段(frontend)的工艺大致 可区分为那些部份?l 答:①STI的形成(定义AA区域及 器件间的隔离)http://www.wendangwang.com/doc/28740f52420810d17a74cb2f②阱区离子注入 (well implant)用以调整电性 l ③栅极(poly gate)的形成 ④源/漏极(source/drain)的形成 ⑤硅化物(salicide)的形成17 [此处图片未下载成功] 15.STI 是什么的缩写? 为何需要STI? 答:STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离), STI可以当做两个组件 (device)间的阻隔, 避免 两个组件间的短路.18 [此处图片未下载成功] 16.AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?l 答:Active Area, 即有源区, 是用来建立晶体管主体的位 置所在,在其上形成源、漏 和栅极.两个AA区之间便是 以STI来做隔离的.19 [此处图片未下载成功] 17.在STI的刻蚀工艺过程中, 要注意哪些工艺参数?l 答:①STI etch(刻蚀)的角 度;

②STI etch 的深度;

③ STI etch 后的CD尺寸大小控 制.(CD control, CD=critical dimension)20 [此处图片未下载成功] 18.在STI 的形成步骤中有一道liner oxide(线 形氧化层), liner oxide 的特性功能为何? 答:Liner oxide 为1100℃,

120 min 高温炉管形成的氧化 层,其功能为:①修补进行 STI etch 造成的基材损伤;

② 将STI etch 造成的etch 尖角给 于圆化( corner rounding).21 [此处图片未下载成功] [此处图片未下载成功] 19.一般的阱区离子注入调整电性 可分为那三道步骤? 功能为何?l l 答:阱区离子注入调整是利用离子注入的方 法在硅片上形成所需要的组件电子特性,一 般包含下面几http://www.wendangwang.com/doc/28740f52420810d17a74cb2f道步骤: ①Well Implant :形成N,P 阱区;

②Channel Implant:防止源/漏极间的漏电;

③Vt Implant:调整Vt(阈值电压). [此处图片未下载成功] 20.一般的离子注入层次(Implant layer)工艺制造可分为那几道步骤?l 答:一般包含下面几道步骤: ①光刻(Photo)及图形的形成;

②离子注入调整;

③离子注 入完后的ash (plasma(等离子 体)清洗)④光刻胶去除(PR strip)24 [此处图片未下载成功] 21.Poly(多晶硅)栅极形成的 步骤大致可分为那 些?l 答:①Gate oxide(栅极氧化层)的沉积;

②Poly film的沉积及SiON(在光刻中作为 抗反射层的物质)的沉积);

③Poly 图形 的形成(Photo);

④Poly及SiON的Etch;

⑤Etch完后的ash( plasma(等离子体)清洗) 及........