DOC《第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排》

第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排 本次会议由兰州大学、中国物理学会半导体物理专业委员会、中国科学院半导体研究所联合主办.

会议将就我国半导体物理的最新研究进展和发展趋势进行深入、广泛的学术交流,并邀请著名专家学者作专题报告,欢迎全校师生参加! 第十六届全国半导体物理会议学术报告总安排 时间事项地点9月8日 (星期六) 8:30-8:45 开幕式等 逸夫科学馆报告厅 9:00-12:00 各分会场报告(见附件) 逸夫科学馆 13:30-17:45 各分会场报告(见附件) 逸夫科学馆 21:00-21:30 物理学会半导体物理 专业委员会会议 萃英大酒店805会议室 9月9日 (星期日) 8:30-12:00 各分会场报告(见附件) 逸夫科学馆 14:00-16:30 各分会场报告(见附件) 逸夫科学馆 16:30-17:00 闭幕式 逸夫科学馆报告厅 * 详见各分会场日程 A 会场会议主题:半导体自旋电子学 地点:逸夫科学馆报告厅 日期:9月8日 时间 报告人 报告内容 9:00- 9:45 郑厚植(半导体研究所) 高密度自旋极化电子气的物理性质 9:45-10:30 褚君浩(上海技术物理所) 10:30-10:45 休息 10:45-11:30 吴明卫(中国科学技术大学) Spin Dynamics in Semiconductor Nanostructures 11:30-12:00 张荣(南京大学) 宽禁带半导体自旋电子材料研究 12:00-13:30 午餐 13:30-14:00 张凤鸣(南京大学) Hole-mediated Ferromagnetism in Polycrystalline Si1-xMnx:B Thin Films 14:00-14:30 沈波(北京大学) GaN基异质结构中二维电子气的输运和自旋性质 14:30-15:00 许小红(山西师范大学) 磁控溅射制备具有室温磁性的Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜 15:00-15:15 休息 15:15-15:45 颜世申(山东大学) 宽禁带氧化物磁性半导体的制备、微结构、磁性和输运研究 15:45-16:15 常凯(半导体研究所) Nonlinear Rashba model: Spin relaxation and spin Hall current 16:15-16:45 姬扬(半导体研究所) 二维电子气系统中电子自旋动力学的实验研究 16:45-17:15 赵建华(半导体研究所) Cr掺杂III-V族稀磁半导体薄膜和自组织量子点的分子束外延生长 17:15-17:45 葛世慧(兰州大学) 过渡金属掺杂的氧化物半导体的室温铁磁性 以上为特邀报告 日期:9月9日 时间 报告人 报告内容 8:30- 8:55 徐兰君(上海技术物理所) 二维电子气集体激发模的软化和Rashba自旋轨道耦合* 8:55- 9:20 甘华东(半导体研究所) 极低密度电流驱动的(Ga,Mn)As的四度磁化开关* 9:20- 9:45 杨学林(北京大学) MOCVD法生长(Ga,Mn)N材料的磁学和电子结构特性* 9:45-10:10 刘朝星(清华大学) 二维空穴气中电流诱导的自旋极化* 10:10-10:25 休息 10:25-10:50 赖天树(中山大学) GaAs中电子自旋相干动力学的能量演化研究* 10:50-11:05 赖天树(中山大学) 室温下GaMnAs的电子自旋偏振弛豫动力学研究 11:05-11:20 邓加军(中科大) (Ga,Mn)As平面内磁各向异性研究 11:20-11:35 刘计红(河北师范大学) 自旋轨道耦合对正常金属/半导体/超导体隧道结中的散粒噪声的影响 11:35-11:50 董衍坤(河北师范大学) 自旋轨道耦合对Aharonov-Bohm测量仪中自旋相关输运的影响 12:00-14:00 午餐 14:00-14:25 安兴涛(河北师范大学) 铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋相关输运性质* 14:25-14:50 王靖(清华大学) 自旋流的法拉第旋转测量* 14:50-15:05 王玮竹(半导体研究所) Mn掺杂GaAs薄膜的磁性质及微观结构调控 15:05-15:20 石瑞英(四川大学) 稀磁半导体GaMnN材料的红外反射光谱研究 15:20-15:35 休息 15:35-16:00 陶志阔(南京大学) MOCVD方法在GaN上生长FexN薄膜及其性能研究* 16:00-16:15 甘华东(半导体研究所) (Ga,Cr)As外延薄膜的铁磁性来源 16:15-16:30 甘华东(半导体研究所) (Ga,Mn)As外延薄膜MCD随磁场变化的特异振荡现象 * 邀请报告 B 会场会议主题:宽、窄禁带半导体 地点:逸夫科学馆201 日期:9月8日 时间 报告人 报告内容 9:00- 9:25 陈弟虎(中山大学) 离子束合成表层、埋层 -SiC薄膜制备及性质研究* 9:25- 9:50 刘斌(南京大学) P型AlxGa1-xN 薄膜光电学性质研究* 9:50-10:05 李青民(西安理工大学) HWCVD法在6H-SiC上异质外延3C-SiC 10:05-10:20 李连碧(西安理工大学) SiC衬底上SiCGe外延薄膜的岛状生长机理 10:20-10:35 休息 10:35-10:50 邓金祥(北京工业大学) 三步法制备立方氮化硼薄膜 10:50-11:05 邓金祥(北京工业大学) 氮气含量对沉积BN薄膜的影响 11:05-11:20 郭辉(西安电子科技大学) 利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层 11:20-11:35 曹全君(西安电子科技大学) 4H-SiC MESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现 11:35-11:50 王悦湖(西安电子科技大学) 4H-SiC同质外延膜的研究 12:00-13:30 午餐 13:30-13:55 桑立雯(北京大学) GaN/AlGaN 超晶格过渡层对生长在GaN模板层上的AlGaN 位错密度的影响* 13:55-14:20 张志国(十三所) AlGaN/GaN HFET电流崩塌效应的研究* 14:20-14:35 尹甲运(专用集成电路国家重点实验室) AlN初始形核对Si(111)衬底GaN材料的影响 14:35-14:50 方浩(北京大学) 选区生长GaN基LED的研究 14:50-15:05 哈斯花(内蒙古大学) 应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 15:05-15:20 休息 15:20-15:35 韩奎(北京大学) AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质由扩散区域向弹道区域的转变 15:35-15:50 黄森(北京大学) Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究 15:50-16:05 景微娜(河北工业大学) 衬底处理对GaN外延层中应力的影响 16:05-16:20 鲁麟(北京大学) 高阻GaN外延薄膜中缺陷形貌的透射电镜研究 16:20-16:35 陈国强(南京大学) 不同钝化介质层对AlGaN/GaN异质结构高温性质的影响 16:35-16:50 毛明华(厦门大学) GaN基发光二极管的电极优化 16:50-17:05 廖辉(北京大学) 三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究 17:05-17:20 周劲(北京大学) AlGaN/GaN 弱耦合多量子阱共振隧穿 17:20-17:35 李香萍(吉林大学) MOCVD法制备ZnO薄膜的正交试验设计 * 邀请报告 日期:9月9日 时间 报告人 报告内容 8:30- 8:55 唐宁(北京大学) 光照对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响* 8:55- 9:20 王超(西安电子科大) 钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶生长及特性研究* 9:20- 9:45 周绪荣(北京大学) 蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响* 9:45-10:00 刘启佳(南京大学) 生长温度对AlGaInN的MOCVD生长的影响 10:00-10:15 休息 10:15-10:30 张志国 (砷化镓国防科技重点实验室) 8GHz输出功率功率密度为11.7W/mm的凹栅AlGaN/GaN HFET的研究 10:30-10:45 张志国 (砷化镓国防科技重点实验室) 8GHZ输出功率为34W凹栅AlGaN/GaN HEMT的研究 10:45-11:00 梁栋(专用集成电路实验室) 高铝组份AlGaN材料晶体质量和表面形貌研究 11:00-11:15 李佳(西安理工大学) HWCVD法在6H-SiC上异质外延p-SiCGe 11:15-11:30 王成伟(西北师范大学) 阳极氧化法制备高度有序的多孔TiO2薄膜的工艺研究 11:30-11:45 尚景智(厦门大学) 与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长 12:00-14:00 午餐 14:00-14:25 谢自力(南京大学) MOCVD技术生长的InN薄膜结构和光学性质* 14:25-14:50 贺小伟(北京大学) 单轴应变对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气圆偏振自旋光电效应的影响* 14:50-15:05 李弋(南京大学) 高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度 15:05-15:20 杨霏(电子科技集团第十三研究所) 碳化硅器件制备中干法刻蚀工艺的研究 15:20-15:35 张晓敏(北京大学) Mg掺杂浓度对MOCVD生长的p型GaN电学性能的影响 15:35-15:45 休息 15:45-16:00 王茂俊(北京大学) SiNx钝化对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响 16:00-16:15 崔旭高(南京大学) 利用MOCVD设备生长Mn掺杂GaN稀释磁性半导体材料 16:15-16:30 陈志涛(北京大学) MOCVD Mn-delta生长GaN:Mn的结构和磁学性质 * 邀请报告 C 会场会议主题:低维量子结构,量子阱和超晶格的物理性质;