DOC《第十六届全国半导体物理学术会议学术报告安排》

宽、窄禁带半导体 地点:逸夫科学馆203 日期:9月8日 时间 报告人 报告内容 9:00- 9:25 郑婉华(半导体研究所) 单偶极模光子晶体激光器的研究* 9:25- 9:50 张永(厦门大学) 不同发射极指数的SiGe HBT直流特性分析* 9:50-10:15 曹玉莲(半导体研究所) P型掺杂1.3 μm量子点激光器的制作及特性研究* 10:15-10:30 休息 10:30-10:55 徐骏(南京大学) 纳米氧化铟和稀土共掺杂二氧化硅薄膜的结构和光学性质研究* 10:55-11:10 蔡雪原(兰州大学) 非平衡格林函数法在纳米MOS器件分析中的应用 11:10-11:25 陈锐(厦门大学) THz Si/SiGe量子级联激光器波导模拟 11:25-11:40 杜晓宇(半导体研究所) 慢光在光子晶体弯曲波导中的高透射传播 11:40-11:55 季海铭(半导体研究所) P型掺杂量子点激光器增益及频率响应的理论计算 12:00-13:30 午餐 13:30-13:55 陈裕斌(南京大学) 基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器* 13:55-14:20 胡古今(上海技术物理所) 锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性研究* 14:20-14:45 武乐可(上海交通大学) Semiconductor Pixelless Far-infrared Upconversion Imaging Devices* 14:45-15:00 江若琏(南京大学) GaN基共振腔增强型紫外探测器的研究 15:00-15:15 休息 15:15-15:30 李炳生(近代物理研究所) 利用He离子和O离子联合注入制备SOI薄膜的研究 15:30-15:45 李霞(兰州大学) 影响CdZnTe探测器特性的因素 15:45-16:00 陆然(北京工业大学) 磁控溅射法制备的La0.7Sr0.3MnO3/Nb-1wt%-SrTiO3异质p-n结的整流特性研究 16:00-16:15 任刚(半导体研究所) 光子晶体60度弯折波导的模式分析及其在低损耗弯折波导设计中的应用 16:15-16:30 石瑞英(四川大学) SiGe HBT抗γ辐照机理研究 16:30-16:45 孙永健(北京大学) 薄膜组合结构在InGaAsP/InP双异质结外延片内引起的光波导的研究 16:45-17:00 王冠中(中科大) 氧化物半导体超晶格纳米带自组装生长和结构表征 17:00-17:15 王科(半导体研究所) 光子晶体垂直腔面发射激光器的模式分析 * 邀请报告 日期:9月9日 时间 报告人 报告内容 8:30- 8:55 张万成(半导体研究所) 基于MOS管的单电子旋转门:单电子传输,物理模型以及电路应用* 8:55- 9:20 谭平恒(半导体研究所) Exciton energy transfer in carbon nanotube bundles* 9:20- 9:35 邢名欣(半导体研究所) 光子晶体环形腔的模式分析 9:35- 9:50 张轶群(南京大学) 纳米线阵列材料........