DOC《《半导体物理实验》课程教学大纲》

三、实验主要仪器设备及材料 紫外可见分光光度计、 红墨水、蓝墨水、比色皿、半导体薄膜. 实验六 太阳电池参数的测定

一、实验目的或实验原理 了解太阳能电池的基本结构与光电特性;

掌握太阳能电池电学性能测试的基本方法.

二、实验内容

1、无光照时,测量太阳能电池的伏安特性曲线;

2、有光照时,测量太阳能电池的短路电流、开路电压、最大输出功率及填充因子.

三、实验主要仪器设备及材料 太阳能电池板、电压表、电流表、滑线变阻器、直流电流源. 实验七 荧光分光光度计测量半导体光致发光

一、实验目的或实验原理

1、理解半导体光致发光的动力学过程;

2、学会利用荧光分光光度计测量半导体的光致发光,确定半导体的带隙与带间能级;

3、分析不同激发波长对半导体发光的影响.

二、实验内容

1、测量不同带隙宽度半导体的光致发光;

2、利用不同激发波长测量同一样品的光致发光;

3、测量光致发光的激发谱.

三、实验主要仪器设备及材料 荧光分光光度计、ZnO、GaN及稀土掺杂GaN等. 实验八 MOS结构高频C-V特性测量

一、实验目的或实验原理

1、了解MOS结构的C-V特性;

2、理解高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度的原理;

3、学会用高频C-V关系测量确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度.

二、实验内容

1、测量MOS结构的高频C-V特性曲线.

2、通过数据确定氧化层厚度、Si/SiO2界面附近的电荷密度.

三、实验主要仪器设备及材料 加热装置、高频C-V测试仪、x-y函数记录仪;

MOS电容等. 实验九 霍尔效应法测量半导体参数

一、实验目的或实验原理

1、了解霍尔效应的基本原理;

2、学会用变温霍尔效应测量仪来测量样品的霍尔系数和电导率,确定半导体载流子浓度和迁移率.

二、实验内容

1、常温下测量样品的霍尔系数和电导率;

2、变温下测量样品的霍尔系数和电导率;

三、实验主要仪器设备及材料 变温霍尔效应测量仪、P及N型硅片、液氮. 实验十? 射频溅射法沉积半导体薄膜

一、实验目的或实验原理

1、了解真空的获得、制备和测量的一般知识;

2、理解超高真空射频磁控溅射设备的结构、工作原理等;

3、学会利用射频磁控溅射设备制备薄膜.

二、实验内容

1、硅片的清洗处理;

2、真空的获得与测量;

3、ZnO薄膜的溅射沉积.

三、实验主要仪器设备及材料 超声波清洗机、超高真空射频磁控溅射设备;

1号和2号清洗液、酒精、ZnO靶、O

2、氩气等. 实验十一 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备半导体薄膜材料

一、实验目的或实验原理

1、了解PECVD制备薄膜的基本原理,掌握PECVD设备的结构;

2、学会利用PECVD制备薄膜材料.

二、实验内容

1、衬底的清洗和预处理;

2、掌握PECVD设备的结构和操作规程;

3、操作PECVD进行薄膜的制备.

三、实验主要仪器设备及材料 超声波清洗机、PECVD;

酒精、1号和2号清洗液、硅片等. 实验十二 场效应晶体管的性能测定

一、实验目的或实验原理

1、理解场效应晶体管的工作原理;

2、学会利用特性曲线获得场效应管主要参数.