DOC《多晶硅生产副产物四氯化硅的综合利用》

5 结论 利用吉布斯自由能理论对四氯化硅合成氮化硅的化学气相沉积体系中可能发生的化学反应进行了热力学分析.在1

500 K以上利用化学气相沉积法可以得到较高纯度的氮化硅.多晶硅生产中的副产品四氯化硅综合利用的途径是,将SiCl4(Ⅰ)通入精馏工艺的四氯化硅提纯塔中将三氯化磷分离后,再与SiCl4(Ⅱ)及SiCl4(Ⅲ)一起进入氮化硅合成炉. 参考文献 [1] 韩今依,朱宏杰,朱以华,等. 高频等离子体化学气相淀积制备氮化硅超细粒子[J]. 化工进展,1995(5):29-33. [2] 张晓薇,顾克军,殷恒志,等. 四氯化硅综合利用的现状及发展趋势[J]. 上海化工,2012,37(12):21-25. [3] 古伟良,陈建春. 高频等离子体气相反应法制备氮化硅超微细粉[J]. 稀有金属,1991,14(6):416-421. [4] 梁英教,车荫昌. 无机物热力学数据手册[M]. 沈阳:东北大学出版社,2009:172-338. [5] 彭耀东,覃攀,冉t,等. 西门子工艺制备多晶硅体系的热力学分析[J]. 河南化工,2012,29(4):31-34. [6] 杨涛. 改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨[J]. 贵州化工,2009,34(3):7-11. [7] 郭春丽. 氮化硅等耐高温纳米材料的溶剂热合成[D]. 济南:山东大学,2007. [8] 房少华. 基于DFT方法的SONOS存储器件氮化硅层掺杂理论研究[D]. 上海:上海交通大学,2007. ........